Принятые доклады

Выбрать секцию

Поиск доклада

название доклада
автор(ы)

Пленарные доклады

П.С. Копьев
Нитриды в мире и в России (доклад)
В.А. Волков
Полупроводниковые структуры с дираковскими фермионами (доклад)
В.М. Пудалов
Термодинамика и магнитопроводимость коррелированной 2D электронной системы (доклад)

Объемные полупроводники

Приглашенные доклады

П.П. Васильев
Квантовый фазовый переход в процессе сверхизлучения в полупроводниках при комнатной температуре 22 Сентября 09:30 - 10:00 (доклад)
Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин, С.Г. Павлов, H.-W. Hübers
Механизмы стимулированного излучения в кремнии с мелкими примесными центрами: вынужденное комбинационное рассеяние и инверсия населенности 22 Сентября 10:00 - 10:30 (доклад)

Устные доклады

В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, А.А. Пручкина.
Излучение изолированных систем типа «точечный дефект - дислокация» в высокочистых поликристаллах CdTe 22 Сентября 10:50 - 11:10 (доклад)
А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, П.В. Семенихин, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов
Спиновое упорядочение и низкотемпературный транспорт в Ge:As вблизи фазового перехода изолятор – металл. 22 Сентября 11:10 - 11:30 (доклад)
М.А. Семина, М.М. Глазов, J. Thewes, J. Heckotter, T. Kazimierczuk, M. Aßmann, D. Frohlich, M.Bayer
Тонкая структура F-экситонов в закиси меди 22 Сентября 11:30 - 11:50 (доклад)
С.В. Мутилин, А.Ф. Булдыгин, Л.В. Яковкина, В.Я. Принц
Фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия: обзор работ и результаты воздействия импульсного СВЧ поля 22 Сентября 10:30 - 10:50 (доклад)

Стендовые доклады

Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов
Бистабильность автомодуляции спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs (доклад)
А.В. Дмитриев, Е.С. Ткачёва
Влияние зоны тяжёлых дырок на термоэлектрические величины теллурида свинца (доклад)
А.Н. Акимов, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Влияние магнитного поля на динамику фототока в пленках PbSnTe:In (доклад)
К.А. Ковалевский, Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин
Влияние поляризации накачки на эффективность кремниевых лазеров с мелкими донорами в условиях одноосной деформации (доклад)
И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.Э. Гумметов
Диамагнетизм продольного автосолитона в p-InSb в продольном магнитном поле (доклад)
А.В. Дмитриев, Н.А. Масюков
Дрейфовая скорость электронов в сильных электрических полях в твёрдых растворах InGaN и InAlN (доклад)
М.М. Гаджиалиев, М.И. Даунов, А.М. Мусаев
Зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления (доклад)
В.П. Калинушкин, О.В. Уваров, А.А. Гладилин, Н.Н. Ильичев, В.П. Данилов, М.И. Студеникин, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, С.А. Родин, Д.В. Савин, Н.А. Тимофеева
Исследование объемных характеристик Zn-Se с помощью двухфотонной конфокальной микроскопии (доклад)
Г.О. Андрианов, В.И. Козуб, Н.Ю. Михайлин, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, А.В. Черняев
Корреляция сверхпроводящих свойств твердых растворов (PbzSn1 z)0.95In0.05 c составом материала и величиной гидростатического сжатия (доклад)
А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, Н.Г. Бебенин, В.Д. Бессонов, Е.И. Патраков, В.А. Фёдоров, Т.К. Менщикова, С.В. Телегин, Н.А. Кругликов
Магнитооптические эффекты в ИК/ТГц диапазоне в ферромагнитных полупроводниках на основе шпинели (доклад)
Т.П. Суркова, В.И. Максимов, С.Ф. Дубинин
Неоднородно-искажённое состояние структуры сфалерита при повышенном содержании 3d- примеси в кристаллах АIIВVI (доклад)
И.В. Кочман, А.И. Вейнгер, Т.В. Тиснек, В.И. Окулов
Особенности микроволнового поглощения в магнитном поле в вырожденном узкозонном полупроводнике HgSe:Fe (доклад)
П.С. Вергелес, Е.Б. Якимов
Рекомбинационно-ускоренное движение дислокаций в пленках GaN. (доклад)
Б.А. Андреев, П.А. Бушуйкин, В.Ю. Давыдов, А.Н. Яблонский
Спектр фотопроводимость нитрида индия (доклад)
К.Е. Кудрявцев, Л.В. Красильникова, Д.В. Шенгуров, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник
Спектроскопия оптического усиления и потерь в активных волноводных структурах Si:Er/SOI (доклад)
А.М. Стрельчук
Температурная зависимость краевой инжекционной электролюминесценции в SiC pn структурах (доклад)
О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, А.Н. Семёнов, В.А. Соловьёв, Т.В. Львова, И.В. Седова, С.В. Иванов
Фотомодуляционная инфракрасная фурье-спектроскопия автоэпитаксиальных слоёв InSb (доклад)
С.Г. Егорова, В.И. Черничкин, С.Н. Данилов, А.В. Никорич, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов
Фотоэлектромагнитный эффект в PbTe(Ga) при возбуждении импульсами терагерцового лазера (доклад)
А.C. Ильин, М.Н. Мартышов, Н.П. Фантина, П.А. Форш, П.К. Кашкаров
Электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия с квантовыми точками CdSe (доклад)
Е.В. Кожемякина, Т.С. Шамирзаев, Е.А. Жуков, Д.Р. Яковлев, M. Bayer
Электронный g-фактор и время спиновой релаксации T2* в высокочистых твердых растворах AlGaAs (доклад)
А.Г. Алибеков, А.Ю. Моллаев, Л.А. Сайпуллаева, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко
Электротранспортные явления в гранулированных структурах Cd3As2+MnAs при высоком давлении (доклад)
В.В. Глушков, А.Д. Божко, С.В. Демишев, А.В. Духненко, А.В. Семено, В.Б. Филиппов, Н.Ю. Шицевалова, K. Flachbart, S. Gabáni, Н.Е. Случанко
Эффект Холла в SmB6 (доклад)
И.Г. Горлова, С.Г. Зыбцев, В.Я. Покровский, С.Ю. Гаврилкин, А.Ю. Цветков
Эффект Холла и магнетосопротивление в слоистом квазиодномерном полупроводнике TiS_3 (доклад)

Поверхность, пленки, слои

Приглашенные доклады

Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.В. Двуреченский
Пространственно упорядоченные планарные ансамбли квантовых точек 24 Сентября 15:10 - 15:40 (доклад)
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, А.Г.Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович
Фотоэмиссия из GaAs с неравновесными слоями цезия 21 Сентября 14:30 - 15:00 (доклад)
М.О. Нестоклон
Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах 21 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)

Устные доклады

А.Н. Чайка, O.В. Молодцова, С. Бабенков, A. Захаров, Yuran Niu, Д. Марченко, J. Sánchez-Barriga, P. Mandal, A. Варыхалов, A. Locatelli, A. Sala, T. Onur Mentes, В.Ю. Аристов
Атомная и электронная структура графена на поверхности кубического карбида кремния SiC(001) 21 Сентября 15:50 - 16:10 (доклад)
А.Б. Одобеско, А.А. Майзлах, С.В. Зайцев-Зотов
Влияние динамической Кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)-7x7 21 Сентября 15:30 - 15:50 (доклад)
В.В. Бакин, К.В. Торопецкий, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
Механизмы Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности р-GaAs(Cs,O) 21 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
В.В. Бакин, Д.В. Горшков, С.А. Рожков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
Неупругое рассеяние фотоэлектронов на границе раздела p+ - GaAs(Cs,O) – вакуум 21 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)
П.А. Алексеев, М.С. Дунаевский, В.П. Улин, В.Л. Берковиц
Нитридная химическая пассивация поверхности GaAs нанопроводов 24 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, С.В. Еремеев, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Д.В. Грузнев, А.А. Саранин
Поиск снятия вырождения Рашбы 2D электронных состояний в системе Bi/InAs(111)A 24 Сентября 15:40 - 16:00 (доклад)
М.В. Лебедев, B. Kaiser, W. Jaegermann
Синхротронные исследования фотоэлектрохимического разложения воды на границе p-GaInP2 с водным раствором HCl 24 Сентября 16:00 - 16:20 (доклад)
А.А. Веденеев, К.Н. Ельцов
Структурный переход 4х2/с8х2→nх6 на поверхности GaAs(001) при температурах 350-500 С 21 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)
Д.В. Грузнев, Л.В. Бондаренко, А.В. Матецкий, А.Ю. Тупчая, С.В. Еремеев, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, А.В. Зотов, А.А. Саранин
Управление структурой спин-расщепленных электронных состояний в двумерных сплавах на поверхности полупроводников 21 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)

Стендовые доклады

А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, С.А. Тийс, М.Ю. Есин
Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ (доклад)
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, В.Л. Альперович
Влияние адсорбции кислорода на вероятность эмиссии электронов из Cs/GaAs(001) в вакуум (доклад)
Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, Ю.Г. Сидоров
Влияние защитного покрытия CdTe на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок CdХHg1-ХTe (доклад)
В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.В. Антонов, К.Е. Кудрявцев, S. Winnerl, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, M. Helm, В.И. Гавриленко
Времена жизни неравновесных носителей заряда в узкозонных эпитаксиальных слоях и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe в условиях сильного возбуждения (доклад)
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, А.В. Латышев
Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование (доклад)
А.В. Шорохова, О.А. Новодворский, В.В. Рыльков, Д.А. Зуев, К.И. Маслаков, С.Н. Николаев
Высокотемпературный ферромагнетизм в пленках Si1−xMnx (x ≈ 0.5) (доклад)
С.А. Денисов, А.В. Нежданов, В.Ю. Чалков, В.Н. Трушин, Д.О. Филатов, Ю.Н. Бузынин, В.Г. Шенгуров
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки (доклад)
Т.В. Павлова, Г.М. Жидомиров, К.Н. Ельцов
Динамика гетерогенной химической реакции хлорирования Cu(111) (доклад)
А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Д.Ф. Аминев, В.А. Цветков, Р.А. Хмельницкий
Зондирование когерентными фононами заглубленных в алмаз графитизированных слоев, созданных имплантацией ионов углерода (доклад)
Е.В. Гущина, О. А. Маслова, J. Alvarez, W. Favre, R. Varache, M.E. Gueunier-Farret, А.С. Гудовских, А.В. Анкудинов, Е.И. Теруков, J.P. Kleider
Изучение границы a-Si:H/c-Si на сколах гетероструктур с помощью сканирующей зондовой микроскопии. (доклад)
Л.С. Паршина, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, В.А. Михалевский, А.В. Шорохова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева
Импульсное лазерное осаждение прозрачных проводящих слоев SnO2:Sb на гибких легкоплавких органических подложках для оптоэлектронных применений (доклад)
С. Б. Бодров, А.А. Мурзанев, Ю.А. Мальков, Ю.А. Сергеев, А.Н. Степанов, Д.А. Яшунин
Исследование генерации второй гармоники оптического излучения с поверхности металла при воздействии мощного терагерцового поля (доклад)
В.К. Егоров, Е.В. Егоров, С.А. Кукушкин
Исследования монокристаллических и эпитаксиальных структур силицида углерода (доклад)
А.С. Паршин, А.Ю. Игуменов, С.А. Кущенков
Количественный анализ полупроводниковых материалов методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов (доклад)
Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк
Легирование арсенида галлия тетрахлоридом углерода в условиях МОС-гидридной эпитаксии (доклад)
М.С. Дунаевский, П.А. Алексеев, А.А. Донцов, А.М. Монахов, A. Baranov
Метод измерения светочувствительного сдвига резонансной частоты АСМ-зонда для ближнепольной диагностики светоизлучения полупроводниковых лазеров (доклад)
Д.В. Дмитриев, А.М. Гилинский, А.И. Торопов, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.П. Василенко, К.С. Журавлёв
МЛЭ слоёв In0.52Al0.48As на подложке InP для высокочастотных фотодиодов (доклад)
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, А.А. Команов, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, В.В. Преображенский
МЛЭ твёрдых растворов InAsSb на GaAs (001): влияние молекулярной формы As на состав и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев (доклад)
М.В. Лебедев
Модификация поверхности полупроводников А3В5 посредством зарядового обмена на границе с раствором (доклад)
П.В. Волков, А.В. Горюнов, А.Ю. Лукьянов, А.Д. Тертышник, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, Н. Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков
Оптический мониторинг технологических процессов формирования полупроводниковых структур (доклад)
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Особенности ВАХ пленок PbSnTe:In в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом в магнитном поле: эксперимент и расчет (доклад)
М. С. Аксенов, А. Ю. Широков, В. А. Голяшов, С. Е. Хандархаева, А. К. Гутаковский, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко
Пассивация поверхности InAs фтором при сухом окислении в таунсендовском разряде (доклад)
Е.В. Тихонов, С.В. Лепешкин, Н.Л. Мацко, В.С. Батурин, Ю. А. Успенский, Д.Р. Хохлов
Первопринципное исследование структуры кремниевых нанокластеров, легированных кислородом. (доклад)
Р.К. Яфаров, В.Я. Шаныгин
Поверхностный фазовый переход в системе углерод - кремний (доклад)
В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, З.Ф. Красильник
Поглощение Урбаха и флуктуации зонного потенциала в эпитаксиальных слоях Si:Er (доклад)
Н.А. Тулина, А.Н. Россоленко, И.М. Шмытько, Н.Н. Колесников, Д.Н. Борисенко, В.В. Сироткин, И.Ю. Борисенко
Получение и исследование мезоскопических гетероструктур на основе селенида висмута Bi2Se3 (доклад)
Б.А. Андреев, П.А. Бушуйкин, Е.В. Демидов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Е.В. Скороходов, П.А. Юнин
Рост и оптоэлектронные свойства слоёв InN, выращенных методом МПЭ ПА при различных соотношениях потоков элементов III и V групп (доклад)
А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, Г.Ю. Сидоров
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe c пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 (доклад)
Д.Е. Свиридов, В.И. Козловский
Сканирующая микроскопия сопротивления растекания с подсветкой: искажения на топографических изображениях (доклад)
Б.А. Андреев, О.Б. Гусев, А.Н. Яблонский, А.В. Ершов, Д.А. Грачев, И.Н. Яссиевич, З.Ф. Красильник
Спектры возбуждения и кинетика люминесценции экситонов, автолокализованных на состояниях поверхностных димеров в нанокристаллах кремния (доклад)
Н.И. Подольская
Спинодальный распад пленок ZnCdO и BeZnO (доклад)
Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, А.Н. Клочков, Д.В. Лаврухин, С.С. Пушкарёв
Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А (доклад)
П.А. Дементьев, М.В. Лебедев, Т.В. Львова, И.В. Седова, А.А. Ситникова, В.А. Соловьев, С.В. Иванов
Сульфидная пассивация поверхности (100) InSb для молекулярно- пучковой гомоэпитаксии (доклад)
Ю.Г. Шретер, В.В. Вороненков, В.С. Коготков, М.В. Вирко, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Н.И. Бочкарёва, А.А. Леонидов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане
Физические основы отделения тонких слоёв от объёмных подложек сверхкороткими лазерными импульсами (доклад)
А.В. Новиков
Формирование и селективное легирование SiGe низкоразмерных структур и их использование для приборных приложений (доклад)
Н.А. Байдакова, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов
Формирование на Si(001) релаксированных слоев Ge высокого кристаллического качества (доклад)
М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин
Формирование ферромагнитных пленок силицида кобальта Co3Si на поверхности монокристаллического кремния (доклад)
А.П. Деточенко, С.А. Денисов, М.Н. Дроздов, А.И. Машин, В.А. Гавва, А.Д. Буланов, А.В. Нежданов, А.А. Ежевский, М.В. Степихова, В.Ю. Чалков, В.Н. Трушин, Д.В. Шенгуров, В.Г. Шенгуров, N.V. Abrosimov, H. Riemann
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex: получение и свойства (доклад)
М.В. Дорохин, Д.А Павлов, А.И. Бобров, Ю.А. Данилов, П.Б. Дёмина, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, Н.В. Малехонова, Е.И. Малышева
Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs (доклад)
П.Н. Брунков, А.В. Бакланов, Н.Д. Прасолов, А.А. Гуткин, Н.А. Калюжный, С.Г. Конников
Эффект локальной трибоэлектризации поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа (доклад)

Гетероструктуры и сверхрешетки

Приглашенные доклады

В.В. Бельков, М.М. Глазов, Л.Е. Голуб, М.А. Семина, З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Н. Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, C. Zoth, С.Д. Ганичев
Квантовые осцилляции фототока в квантовых ямах на основе теллурида ртути 22 Сентября 10:00 - 10:30 (доклад)
А.С. Журавлев
Конденсация спин-циклотронных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктурах 21 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)
С.С. Гаврилов, Н.А. Гиппиус, А.А. Деменев, В.Д. Кулаковский
Нестационарные и переходные состояния сильнонеравновесного конденсата экситонных поляритонов 21 Сентября 14:30 - 15:00 (доклад)
А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, Н. Черкашин, В.М. Устинов
Стимулированная фазовая сепарация в InGaAlN гетероструктурах 22 Сентября 09:30 - 10:00 (доклад)

Устные доклады

И.Я. Герловин, И.И. Игнатьев, И.А. Ловцюс, В.В. Петров, А.В. Трифонов
Биения квантово-размерных экситонных состояний в InGaAs/GaAs гетероструктуре 21 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)
И.В. Алтухов, М.С. Каган, С.К. Папроцкий, А.Д. Буравлев, А.П. Васильев, Н.Д. Ильинская, А.А. Усикова, В.М. Устинов
Влияние ТГц резонатора на туннельную проводимость короткопериодных сверхрешеток 22 Сентября 10:30 - 10:50 (доклад)
Р.В. Чербунин, Н.Е. Коптева, А.В. Михайлов
Гигантское керровское вращение света в структурах с микрорезонаорами 21 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
Т.С. Шамирзаев, J. Debus, М.М. Глазов, Е.Л. Ивченко, Д.Р. Яковлев, M. Bayer
Динамика рекомбинации экситонов в гетероструктурах с монослойными квантовыми ямами GaAs/AlAs и InAs/AlAs в сильных магнитных полях 21 Сентября 15:50 - 16:10 (доклад)
А.В. Черненко, Ю. Фишер, С. Бродбек, И. Ледерер, А. Рахими-Иман, М. Амтор, В.Д. Кулаковский, М. Камп, М. Дурнев, К. Шнайдер, А.В. Кавокин, С. Хёфлинг
Конденсат поляритонов в магнитном поле: изменение знака g-фактора и скачок диамагнитной восприимчивости 21 Сентября 15:30 - 15:50 (доклад)
М.П. Теленков, Ю.А. Митягин, А.А. Куцевол, В.В. Агафонов
Межподзонная инверсия населенностей и вынужденные излучательные переходы терагерцового диапазона в системе уровней Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям 22 Сентября 11:30 - 11:50 (доклад)
М.А. Пятаев, А.В. Шорохов, Д.С. Приймак, Н.Н. Хвастунов, К.Н. Алексеев
Механизм усиления терагерцового излучения на отрицательных электронных массах в полупроводниковой сверхрешетке 22 Сентября 11:10 - 11:30 (доклад)
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, М.А. Путято, И.Б. Чистохин, В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Б Р. Семягин, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, В.В. Преображенский
Молекулярно-лучевая эпитаксия сверхрешеток GaSb/InAs: влияние температуры роста на свойства структур 24 Сентября 09:50 - 10:10 (доклад)
В.В. Белых, М.В. Кочиев
Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs 21 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)
Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, M. Henini
Осцилляции фотопроводимости в p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками. 22 Сентября 10:50 - 11:10 (доклад)
М.М. Соболев, М.C. Буяло, В.Н. Неведомский, Ю.М. Задиранов, Р.В. Золотарева, Е.Л. Портной
Прямое наблюдение полярона в сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs 24 Сентября 10:10 - 10:30 (доклад)
А.Ю. Маслов, О.В. Прошина
Электрон-фононное взаимодействие в анизотропных квантовых ямах 21 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, И.С. Терехов, О.П. Сушков
Электростатическая сверхрешетка как искусственный графен: критический беспорядок и электронная экранировка 24 Сентября 09:30 - 09:50 (доклад)

Стендовые доклады

В.А. Володин, В.А. Сачков, М.П. Синюков
Анизотропия смешанных оптических и интерфейсных фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs: эксперимент и расчёты (доклад)
А.В. Васев, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский
Взаимодействие сурьмы с поверхностью InAs(001) при формировании гетерограниц InAs/GaSb методом МЛЭ (доклад)
И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин
Влияние переменного профиля состава квантовой ямы Iny(z)Ga1-y(z)As на электронные транспортные свойства PHEMT гетероструктур (доклад)
Д.Ю. Протасов, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Влияние профиля δ-слоев на подвижность двумерного электронного газа, ограниченную кулоновским рассеянием, в акцепторно-легированных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs (доклад)
Г.М. Борисов, В.В. Преображенский, В.Г. Гольдорт, А.А. Ковалёв, М.А. Путято, С.А. Кочубей, Н.Н. Рубцова, Д.В. Ледовских, Б.Р. Семягин
Генерация второй гармоники излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в гетероструктурах A3B5 с асимметричными квантовыми ямами (доклад)
Л.А. Кулакова, А.В. Лютецкий
Деформационные исследования поляризационных свойств лазерных гетероструктур на квантовой яме и квантовых точках (доклад)
А.В. Шорохов, Н.С. Прудских, К.Н. Алексеев
Критерий устойчивости для полупроводниковых сверхрешеток с омическими и неомическими контактами (доклад)
М.Я. Винниченко, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, Р.М. Балагула, М.М. Кулагина, А.П. Васильев, C.A. Duque, A. Tiutiunnyk, V. Akimov, R.L. Restrepo
Межподзонное поглощение и преломление света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле (доклад)
Д.А. Веселов, И.С. Шашкин, А.А. Подоскин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов
Методика исследования поглощения на свободных носителях в слоях гетероструктуры мощного полупроводникового лазера (доклад)
И.С. Васильевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин
Механизм немонотонной зависимости подвижности от концентрации электронов в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs (доклад)
Н.Е. Коптева, Р.В. Чербунин, А.В. Михайлов
Наблюдение Раби осцилляций в микрорезонаторе (доклад)
В.Я. Алешкин, О.В. Вихрова, А.А. Дубинов, Н.В. Дикарева, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, С.М. Некоркин, П.А. Юнин
Наблюдение суперлюминесценции из метаморфного GaAsSb, выращенного на GaAs (доклад)
З.Ш. Пирмагомедов, М.М. Гаджиалиев, Т.Н. Эфендиева
Определение барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия. (доклад)
Т.А. Комиссарова, Г.В. Климко, С.В. Гронин, И.В. Седова, С.В. Сорокин, Б.Я. Бер, А.А. Торопов, С.В. Иванов
Особенности электрофизических и структурных свойств гетеровалентных гетероструктур (Al)GaAs/Zn(Mn)Se (доклад)
Ю.Ю. Романова
Отрицательная проводимость и разогрев электронного газа в одномерных полупроводниковых сверхрешетках (доклад)
Е.С. Храмцов, П.А. Белов, Ф.С. Григорьев, С.Ю. Вербин, С.Л. Яковлев
Прямое численное решение уравнения Шредингера для экситонов в квантовых ямах (доклад)
А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Н.Г. Шелушинина, Ю.Г. Арапов, М.В. Якунин, С.В. Гудина
Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла (доклад)
А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, А.В. Бабичев, Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, И.А. Морозов, М.С. Соболев, Е.В. Никитина
Спектроскопия электроотражения резонансных брэгговских гетероструктур с квантовыми ямами InAs/GaAs (доклад)
А.А. Деменев, С.С. Гаврилов, A.C. Бричкин, А.В. Ларионов, В.Д. Кулаковский
Темные солитоны в конденсате экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах при нерезонансной оптической накачке. (доклад)
А.А. Лясота, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков, E. Kapon, A Rudra
Температурная трансформация спектров фотолюминесценции квантовых ям GaAs/AlGaAs в области 2-50 К (доклад)
Н.А. Бекин, Р.Х. Жукавин, К.А. Ковалевский, А.В. Антонов, Д.В. Козлов, М.Л. Орлов, Д.В. Юрасов, В.Н. Шастин
Терагерцовое излучение горячих дырок при латеральном транспорте в гетероструктурах Ge/GeSi с туннельно-связанными квантовыми ямами (доклад)
В.В. Капаев
Узкополосное детектирование и генерация гармоник терагерцевого излучения в резонансно-туннельных гетероструктурах (доклад)
А.Н. Яблонский, Д.И. Крыжков, С.В. Морозов, В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, З.Ф. Красильник
Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в спектральном диапазоне 1-1.3 мкм (доклад)
Н.Р. Григорьева, Р.В. Григорьев, Ю.Н. Лазарева, Б.В. Новиков, А.В. Селькин
Экситон-поляритонное излучение света из приповерхностной варизонной гетероструктуры CdS1-xSex/CdS (доклад)
Ф.С. Григорьев, Ю.П. Ефимов, С.А. Елисеев, И.В. Игнатьев, В.А. Ловцюс, В.В. Петров, А.В. Трифонов
Экситоны в совершенных гетероструктурах: эксперимент и теория (доклад)

Двумерные системы

Приглашенные доклады

М.В. Боев, В.М. Ковалев, А.В. Чаплик
Акустоэкситонное взаимодействие в бозе-эйнштейновском конденсате непрямых дипольных экситонов 22 Сентября 12:10 - 12:40 (доклад)
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Квантовый эффект Холла в системе дираковских фермионов на основе HgTe 23 Сентября 15:30 - 16:00 (доклад)
А.Б. Ваньков, В.В. Соловьев, И.В. Кукушкин
Магнитооптика сильнокоррелированных двумерных электронных систем в структурах ZnO/MgZnO 22 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)
А.А. Быков
Нелинейный электронный транспорт в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения 23 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)
В.М. Муравьев, П.А. Гусихин, И.В. Кукушкин
Новый тип плазменных возбуждений в двумерной электронной системе с верхним затвором 22 Сентября 15:30 - 16:00 (доклад)

Устные доклады

И.Л. Дричко, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов, L.N. Pfeiffer, K.W. West, Ю.М. Гальперин
Вигнеровский кристалл в режиме дробного квантового эффекта Холла в окрестности nu=1/5. Акустические методы исследования 23 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)
Г.М. Миньков, А.В. Германенко, А.А. Шерстобитов, О.Э. Рут, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Гигантское нарушение электрон-дырочной симметрии спин-орбитального расщепления дираковских фермионов в HgTe ямах. 23 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)
А.В. Щепетильников, Ю.А. Нефёдов, И.В. Кукушкин
Изучение спиновых свойств двумерных систем с тяжелыми электронами посредством методики ЭПР 22 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)
А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков, А.В. Германенко, О.Э. Рут, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов
Квантовая емкость двумерных систем HgTe при толщинах, близких к критической 23 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
С.И. Дорожкин, K. von Klitzing, J.H. Smet
Нерегулярные перевороты электрического поля в доменной структуре, возникающей в неравновесных двумерных электронных системах под микроволновым облучением 22 Сентября 16:00 - 16:20 (доклад)
З.Д. Квон, T. Herrman, Д.А. Козлов, С.Н. Данилов, В.В. Бельков, B. Jentzsch, P. Olbrich, С.Д. Ганичев, D. Weiss
Осцилляции магнитопроводимости двумерного электронного газа, индуцированные мощным терагерцовым излучением 23 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)
А.Р. Хисамеева, В.Н. Белянин, П.А. Гусихин, В.М. Муравьев, И.В. Кукушкин
Плазменные возбуждения в двумерной системе тяжелых анизотропных фермионов 22 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)
В.В. Еналдиев, В.А. Волков
Поверхностные состояния в висмутовой нанопроволоке 22 Сентября 13:40 - 14:00 (доклад)
И.В. Андреев, В.М. Муравьев, В.Н. Белянин, И.В. Кукушкин
Радиационный и релаксационный вклад в ширину линии магнитоплазменного резонанса в двумерных электронных системах 22 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
А.В. Горбунов, Л.В. Кулик, А.С. Журавлев, В.Б. Тимофеев, И.В. Кукушкин
Сверхмедленная спиновая релаксация в системе двумерных электронов 22 Сентября 12:40 - 13:00 (доклад)
А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Слабая антилокализация в квантовых ямах HgTe вблизи дираковской точки 23 Сентября 16:00 - 16:20 (доклад)
А.А. Заболотных, В.А. Волков
Спектр краевых плазмонов при учёте электромагнитного запаздывания 22 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)
В.К. Калевич, М.М. Афанасьев, В.А. Лукошкин, Д.Д. Солнышков, G. Malpuech, К.В. Кавокин, S.I. Tsintzos, Z. Hatzopoulos, P.G. Savvidis, А.В. Кавокин
Структурирование конденсата экситонных поляритонов в цилиндрических пилларах с микрорезонатором 22 Сентября 13:00 - 13:20 (доклад)
Т.М. Бурбаев, М.А. Акмаев, Д.С. Козырев, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, Н.Н. Сибельдин, В.В. Ушаков, В.А. Цветков, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов
Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода 22 Сентября 13:20 - 13:40 (доклад)

Стендовые доклады

Е.Л. Румянцев
Zitterbewegung и одночастичные уравнения Паули в двумерных дираковских полупроводниках с учетом заполнения (доклад)
В.С. Багаев, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев
Влияние плазменных колебаний терагерцового диапазона на спектры фотолюминесценции SiGe-гетероструктур (доклад)
Л.Н. Овешников, В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, Н.А. Юзеева, Г.Б. Галиев, С.С. Пушкарев
Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале (доклад)
З.Д. Квон, Г.М. Гусев, А.Д. Левин, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Гигантский микроволновый фотокондактанс туннельного точечного контакта (доклад)
С.И. Дорожкин
Емкостная спектроскопия двухслойных электронных систем (доклад)
Л.В. Данилов, А.А. Петухов, Э.В.Иванов, Д.В. Кузнецов, К.В. Калинина, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, M. Zíková, E.Hulicius
Излучательная рекомбинация в наногетероструктурах с глубокими квантовыми ямами при высоких температурах (доклад)
Ю.Б. Васильев, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Васильева, Ю.Л. Ивáнов, А.О. Захарьин, А.В. Андрианов, А.В. Антонов, А.В. Иконников, В.И. Гавриленко
Излучение при зинеровском туннелировании в квантовых ямах HgTe (доклад)
В.В. Платонов, Ю.Б. Кудасов, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, O. Drachenko, А.С. Коршунов, И.В. Макаров, Д.А. Маслов, О.М. Сурдин, А.В. Филиппов, В.И. Гавриленко, M. Helm, Н.Н. Михайлов, C.А. Дворецкий
Исследование магнитопоглощения в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в сильных магнитных полях при различных температурах (доклад)
А.А. Кононов, С.В. Егоров, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Э.В. Девятов
Исследование транспорта между металлом с макроскопическим параметром порядка и краем двумерной электронной системы в квантовой яме HgTe с инверсией зон (доклад)
А.В. Щепетильников, Ю.А. Нефёдов, И.В. Кукушкин
Наблюдение гигантских осцилляций магнетосопротивления индуцированных микроволновым излучением в ZnO/MgZnO гетеропереходах (доклад)
А.Я. Шульман
Обменно-корреляционная энергия многоэлектронной системы в приближении самосогласованного поля (доклад)
П.С. Алексеев, М.И. Дьяконов
Объяснение "колоссального" отрицательного магнетосопротивлени двумерной электронной жидкости (доклад)
Д.Б. Султанов, А.Б. Воробьёв, А.Ф. Булдыгин
Особенности магнетосопротивления двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности под действием СВЧ-излучения (доклад)
Е.Ю. Жданов, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, Д.А. Похабов, А.К. Бакаров, А.И. Торопов
Переворот фазы осцилляций Шубникова-де Гааза в подвешенных полупроводниковых структурах (доклад)
И.Н. Котельников, Е.Н. Морозова, С.Е. Дижур, Э.В. Девятов, В.Т. Долгополов
Пиннинг уровней Ландау в туннельных спектрах двумерной электронной системы (доклад)
В.Е. Бисти, В.А. Кузнецов, Л.В. Кулик
Плазмороны в неравновесной системе двумерных магнитоэкситонов (доклад)
А.А. Добрецова, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Поверхностные cостояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях. (доклад)
М.П. Михайлова, А.И. Вейнгер, П.В. Семенихин, И.В. Кочман, В.А. Березовец, A. Hospodková, J. Pangrac, M. Ziková, E. Hulicius
Поглощение микроволнового излучения двумерными электронами в композитной квантовой яме II типа InAs/GaSb в магнитном поле (доклад)
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Полупроводниковый дираковский резонатор в слабых магнитных полях (доклад)
И.В. Загороднев, Ж.А. Девизорова, В.В. Еналдиев, А.В. Фролов, В.А. Волков
Рассеяние электронов в графене на круглом наноотверстии (доклад)
Д.В. Посвянский, А.Я. Шульман
Самосогласованный расчет непараболического энергетического спектра электронов в обогащенном слое на поверхности n-InAs. (доклад)
Т.Б. Чарикова, Н.Г. Шелушинина, Г.И. Харус, Д.С. Петухов, О.Е. Петухова, А.А. Иванов
Скейлинг продольного и холловского электросопротивлений в двумерной электронно-легированной неупорядоченной системе (доклад)
Н.В. Агринская, В.И. Козуб, В.А. Березовец
Температурно-зависящий беспорядок и беспорядок, контролируемый магнитным полем: исследование применительно к системе модуляционно легированных квантовых ям. (доклад)
Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром (доклад)
М.В. Якунин, А.В. Суслов, М.Р. Попов, Е.Г. Новик, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Увеличенное перекрытие электронной и валентной подзон в двойной квантовой яме HgTe (доклад)
В.С. Багаев, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, А.В. Новиков, E.Е. Онищенко, А.А. Пручкина
Условия возникновения сверхизлучения в видимом диапазоне в двумерных структурах SiGe/Si (доклад)
А.В. Герт, М.О. Нестоклон, И.Н. Яссиевич
Электронная структура и эффективный гамильтониан силицена около дираковской точки (доклад)
Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.Р. Попов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, C.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов
Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe (доклад)

Одномерные и нульмерные системы

Приглашенные доклады

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев
Аномалии электронного транспорта в подвешенных полупроводниковых наноструктурах 22 Сентября 16:00 - 16:30 (доклад)
А.Г. Милёхин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, Н.А. Ерюков, V.M. Dzhagan, E. Sheremet, O.D. Gordan, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn
Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах 22 Сентября 15:30 - 16:00 (доклад)
А.В. Родина, Ал.Л. Эфрос
Радиационная рекомбинация темного экситона в коллоидных нанокристаллах 22 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)

Устные доклады

С.Г. Зыбцев, В.Я. Покровский, А.П. Орлов
NbS3 - уникальный квазиодномерный полупроводник с тремя пайерлсовскими переходами 22 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)
В.П. Koчерешко, А.В. Платонов, В.Н. Кац, P. Savvidis, A.V. Kavokin, L. Besombes, H. Mariette
Бозе конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах индуцированная магнитным полем 24 Сентября 09:30 - 09:50 (доклад)
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, И.А. Деребезов
Неклассические излучатели на основе квантовых точек 24 Сентября 10:10 - 10:30 (доклад)
А.М. Смирнов, М.В. Козлова, В.С. Днепровский
Нелинейные оптические процессы при самодифракции трех лазерных лучей в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS 22 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, Р.А. Кучинская, С.А. Рудин, А.В. Мудрый
Разреженные массивы кольцевых молекул из квантовых точек 24 Сентября 09:50 - 10:10 (доклад)
С.Г. Зыбцев, В.Я. Покровский
Структурная перестройка волны зарядовой плотности при одноосной деформации и аномалии механических свойств квазиодномерных проводников 22 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)

Стендовые доклады

А.В. Бакланов, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Ю. Егоров, С.Г. Конников
Анализ процессов термической эмиссии носителей заряда из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs матрицы (доклад)
Д.М. Самосват, О.П. Чикалова-Лузина, Г.Г. Зегря
Безызлучательный резонансный перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках (доклад)
П.И. Арсеев, Н.С. Маслова
Влияние кулоновских корреляций на особенности туннельных характеристик примесных комплексов и сильно связанных квантовых точек (доклад)
В.В. Вальков, С.В. Аксенов
Вольт-амперная характеристика джозефсоновского перехода, сформированного регулярной структурой спиновых димеров (доклад)
Н.А. Ерюков, А.Г. Милёхин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев
Гигантское комбинационное рассеяние света оптическими фононами в полупроводниковых нанокристаллах CuS на поверхности Au (доклад)
А.И. Якимов, В.В. Кириенко, В.А. Тимофеев, А.В. Двуреченский
Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si (доклад)
А.П. Болтаев, Ф.А. Пудонин
Диэлектрические свойства наноостровковых систем с туннельным харектером проводимости (доклад)
А.А. Лямкина, С.П. Мощенко, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов
Коллективные эффекты в экситон-плазмонном взаимодействии в структурах с InAs/AlGaAs КТ и кластерами индия (доклад)
В.В. Кириенко, В.А. Армбристер, А.А. Блошкин, А.В. Двуреченский
Локализация электронных состояний в напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge (доклад)
М.А. Семина, Р.А. Сурис
Локализованные состояния дырок в наноструктурах: магнитоиндуцированное смешивание и эффект Зеемана (доклад)
А.А. Головатенко, М.А. Семина, А.В. Родина, T.В. Шубина
Моделирование спектров фотолюминесценции неоднородных массивов эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe (доклад)
И.А. Александров, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев
Модель температурного тушения фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN (доклад)
В.Я. Алешкин, О.В. Вихрова, А.А. Дубинов, Н.В. Дикарева, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, А.Н. Яблонский
Наблюдение фотолюминесценции квантовых точек InAs, выращенных на метаморфном буфере GaAsSb (доклад)
О.С. Кен, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич, О.М. Сресели
Нанокомпозитные слои Si-Au и лавинное умножение в гетеропереходах на их основе (доклад)
А.Н. Талденков, С.В. Зайцев-Зотов
Низкотемпературная проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника о-TaS3 при одноосном растяжении (доклад)
С.А. Тарасов, И.И. Михайлов, И.А. Ламкин, А.С. Евсеенков, А.В. Соломонов
Оптические свойства наносистем «коллоидные квантовые точки PbS – матрицы пористого кремния» (доклад)
Х. Сигурдссон, О.В. Кибис, И.А. Шелых
Оптический эффект Ааронова-Бома в квантовых кольцах (доклад)
К.Л. Кошелев, В.Ю. Качоровский
Оптическое возбуждение циркулярного тока в неупорядоченном квантовом кольце (доклад)
И.В. Крылов, К.А. Дроздов, А.С. Чижов, М.Н. Румянцева, Р.Б. Васильев, Д.Р. Хохлов, Д.Г. Филатова, А.М. Абакумов, А.М. Гаськов
Полупроводниковые газовые сенсоры на основе оксида цинка с квантовыми точками селенида кадмия (доклад)
Р.М. Балагула, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, А.Н. Софронов, А.А. Тонких
Релаксация фотоиндуцированного поглощения света среднего ИК диапазона в квантовых точках GeSi/Si (доклад)
М.П. Гамбарян, В.А. Володин, А.Г. Черков, В.И. Вдовин
Светоизлучающие нанокристаллы Ge(x)Si(1-x), сформированные в многослойных наноструктурах GeO/SiO2 (доклад)
В.П. Кочерешко, В.Н. Кац, А.В. Платонов, А.Н. Поддубный, Г.Э. Цырлин, А.Д. Буравлев
Спектроскопия одиночной квантовой точки, заключенной в одиночную квантовую нить (доклад)
А.В. Савельев, М.В. Максимов, А.Е. Жуков
Стабильность спектра излучения ансамблей полупроводниковых квантовых точек (доклад)
А.А. Зарубанов, К.С. Журавлев
Температурная зависимость времени жизни в нанокристаллах CdS, сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт (доклад)
С.В. Сорокин, Т.В. Шубина, И.В. Седова, С.В. Гронин, А.В. Родина, М.А. Семина, А.А. Головатенко, М.В. Рахлин, А.А. Ситникова, А.А. Торопов, С.В. Иванов
Управление спектром излучательных состояний в массивах квантовых точек CdSe/ZnSe, сформированных методами молекулярно-пучковой эпитаксии (доклад)
М.В. Еременко, А.Н. Резницкий, А.М. Минтаиров, J. Kapaldo, J. Merz
Экситоны в самоорганизованных CdSe/ZnSe квантовых точках: температурная зависимость формы спектров излучения и пространственная размерность излучающих состояний. (доклад)
Д.С. Абрамкин, К.М. Румынин, Е.А. Емельянов, А.К. Бакаров, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев
Энергетический спектр самоорганизованных III-Sb/AlAs квантовых точек (доклад)

Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм

Приглашенные доклады

В.С. Запасский
Спектроскопия спонтанного магнитного резонанса полупроводниковых структур 24 Сентября 15:10 - 15:40 (доклад)
В.Л. Коренев, M. Salewski, И.A. Aкимов, В.Ф. Сапега, L. Langer, И.В. Калитухо, J. Debus, Р. И. Джиоев, Д.Р. Яковлев, D. Müller, C. Schröder, H. Hövel, G. Karczewski, M. Wiater, T. Wojtowicz, Ю.Г. Кусраев, M. Байер
Ферромагнитный эффект близости в гибридах ферромагнетик/полупроводниковая квантовая яма 25 Сентября 09:30 - 10:00 (доклад)

Устные доклады

Й. Дебус, Д. Кудлачик, В.Ф. Сапега, Д. Дункер, П. Бон, Й. Раутерт, Д. Браукман, Д.Р. Яковлев, Д. Ройтер, А.Д. Вик, М. Байер
Исследование электрон-ядерного сверхтонкого взаимодействия в однократно заряженных квантовых точках (In,Ga)As/GaAs методом неупругого рассеяния света с переворотом спина 25 Сентября 11:00 - 11:20 (доклад)
М.В. Дурнев, L. Bouet, M. Vidal, T. Mano, N. Ha, T. Kuroda, M.M. Глазов, Е.Л. Ивченко, X. Marie, T. Amand, K. Sakoda, G. Wang, B. Urbaszek
Многочастичные кулоновские комплексы в тригональных квантовых точках GaAs/AlGaAs 25 Сентября 11:40 - 12:00 (доклад)
А.В. Ларионов, Л.В. Кулик, С.М. Дикман, И.В. Кукушкин
Новый механизм спиновой дефазировки двумерных электронов в Холловском ферромагнетике. 25 Сентября 10:40 - 11:00 (доклад)
Н.С. Аверкиев, М.О. Нестоклон, С.А. Тарасенко
Слабая локализация и антилокализация в многодолинных наноструктурах 24 Сентября 16:00 - 16:20 (доклад)
Е.А. Жуков, Д.Р. Яковлев, Ю.Г. Кусраев, К.В. Кавокин, J. Debus, И.А. Акимов, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, M. Bayer
Спиновая динамика дырочного магнитного полярона в квантовых ямах (Cd,Mn)Te/(Cd,Mn,Mg) 25 Сентября 10:20 - 10:40 (доклад)
Н.С. Аверкиев, Б.А. Аронзон, А.Б. Давыдов, И.В. Крайнов, В.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, И.В. Рожанский, Е.И. Яковлева
Ферромагнетизм и аномальный эффект Холла в 2D структуре GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным дельта слоем Mn 24 Сентября 15:40 - 16:00 (доклад)
В.И. Окулов, А.Т. Лончаков, С.Б. Бобин, Т.Е. Говоркова, В.В. Дерюшкин, К.А. Окулова, Е.А. Памятных
Физическая природа спонтанной спиновой поляризации электронов и термодинамического аномального эффекта Холла в кристаллах с низкой концентрацией примесей 3d - элементов 25 Сентября 11:20 - 11:40 (доклад)
L. Langer, С.В. Полтавцев, И.А. Югова, M. Salewski, Д.Р. Яковлев, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, И.А. Акимов, M. Bayer
Фотонное эхо на системе спинов в полупроводнике: доступ к долговременной оптической памяти 25 Сентября 10:00 - 10:20 (доклад)
И.В. Рожанский, К.С. Денисов, Н.С. Аверкиев
Эффекты резонансно-туннельной спиновой поляризации в гетероструктурах 24 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)

Стендовые доклады

А.Н. Афанасьев, А.А. Грешнов, Г.Г. Зегря
Генерация чисто спиновых токов при Оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы и Дрессельхауса (доклад)
Д.С. Смирнов, Л.Е. Голуб
Динамика и флуктуации спина в режиме cтриминга (доклад)
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых
Инжекция свободных спин-поляризованных электронов в гетероструктуры на основе A3B5 (доклад)
К.Г. Гареев, С.А. Ионин, В.А. Мошников, Н.В. Пермяков
Исследование коллоидных частиц FemOn-SiO2, получаемых одно- и двухстадийным способами (доклад)
М.М. Глазов
Конкуренция сверхтонкого взаимодействия и прыжков в спиновом шуме локализованных электронов (доклад)
А.В. Черненко, А.С. Бричкин
Локализованные и связанные экситоны в сверхрешётках второго типа ZnMnSe/ZnSSe (доклад)
А.А. Лотин, О.А. Новодворский, М.А. Панков, В.В. Рыльков, Э.Т. Кулатов, Д.А. Зуев, О.Д. Храмова, Л.С. Паршина, А.В. Шорохова, В.А. Михалевский, Е.А. Черебыло
Магнитная анизотропия в тонких пленках Zn1-хCoхO (доклад)
И.В. Крайнов, В.Ф. Сапега, Н.С. Аверкиев, Г.С. Димитриев, K.H. Ploog
Механизмы спиновой релаксации марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As (доклад)
А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, Т.С. Зароднюк, А.Ю. Горнов
О возможности выполнения квантовых логических операций в системе двух электронов, локализованных на Ge квантовой точке (доклад)
И.И. Ляпилин, М.С. Окороков, В.В. Устинов
О генерации спин-волного тока в гибридных наноструктурах (доклад)
И.А. Кокурин, Н.С. Аверкиев
Ориентация спинов носителей током в квази-одномерной системе (доклад)
Е.В. Филатов, А.А. Максимов, И.И. Тартаковский
Прямые измерения пикосекундной кинетики нагрева спиновой подсистемы Mn в полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах типа-II (Zn,Mn)Se/BeTe. (доклад)
А.В. Пошакинский, С.А. Тарасенко
Распространение термических флуктуаций спиновой плотности в квантовых ямах (доклад)
В.Ф. Сапега, Г.С. Димитриев, И.В. Крайнов, Н.С. Аверкиев
Расщепление состояний акцептора марганца в (Ga,Mn)As в деформационном и магнитном полях (доклад)
О.А. Новодворский, Л.С. Паршина, О.Д. Храмова, В.А. Михалевский, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко, А.Н. Аронов, Б.А. Аронзон
Создание магнитных полупроводниковых гетеропереходов p-In1-хMnхSb/n-InSb методом импульсного лазерного осаждения (доклад)
Е.Л. Ивченко, Л.А. Бакалейников, В.К. Калевич
Спин-зависимая рекомбинация и сверхтонкое взаимодействие на глубоких парамагнитных дефектах (доклад)
Ж.А. Девизорова, В.А. Волков
Спин-орбитальное взаимодействие электронов с атомарно резкой гетерограницей в квантовой яме (доклад)
А.В. Здоровейщев, М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Ю.А. Данилов, А.В. Кудрин, Е.А. Питиримова, А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева, F. Iikawa
Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt (доклад)
А.П. Деточенко, А.В. Сухоруков, Д.В. Гусейнов, А.В. Кудрин, С.А. Попков, А.В. Королева, А.А. Ежевский, А.А. Конаков, В.А. Бурдов, Д.Г. Зверев, Г.В. Мамин, Н.В. Абросимов, H. Riemann
Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии (доклад)
К.Ю. Черноглазов, А.С. Семисалова, С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, В.В. Тугушев, Ю.М. Чесноков, А.Л. Васильев, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев, А.В. Зенкевич, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, Н.С. Перов, А.С. Веденеев, А.С. Бугаев
Ферромагнетизм поликристаллических пленок Si1-xMnx (x~0.5) с самоорганизованным распределением кристаллитов по размерам (доклад)
Л.В. Котова, А.В. Платонов, В.Н. Кац, Л.Е. Голуб, В.П. Кочерешко, Е.В. Кожемякина, Д.В. Дмитриев
Эффекты пространственной дисперсии в структурах с квантовыми ямами (доклад)

Примеси и дефекты

Устные доклады

А.Т. Лончаков, С.Б. Бобин, В.В. Дерюшкин, В.И. Окулов, Т.Е. Говоркова
Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах селенида ртути с низкой концентрацией примесей 3d- металлов 24 Сентября 18:10 - 18:30 (доклад)
Е.П. Скипетров, О.В. Крулевецкая, Л.А. Скипетрова, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько
Стабилизация уровня Ферми в теллуриде свинца, легированном железом, под давлением 24 Сентября 17:50 - 18:10 (доклад)

Стендовые доклады

О.С. Трушин, Э. Марас, Т. Ала-Ниссила, Э. Гранато, С.Ч. Инг
Атомные механизмы зарождения дислокаций в гетероэпитаксиальной структуре Ge/Si(001) (доклад)
В.Я. Алешкин
Динамика примесной фотопроводимости в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами (доклад)
А.Э. Климов, Н.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский
Длинноволновая ИК фотопроводимость пленок Pb1-xSnxTe:In для составов вблизи инверсии зон (доклад)
О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов, Й. Вебер
Исследование метастабильных дефектов в эпитаксиальных слоях n-GaAs методом высокоразрешающей Лапласовской релаксационной спектроскопии глубоких уровней (доклад)
И.В. Осинных, Т.В. Малин, В.Ф. Плюснин, К.С. Журавлев
Исследование сине-зеленой полосы в спектрах фотолюминесценции сильно легированного AlxGa1-xN (доклад)
В.И. Зубков, О.В. Кучерова, А.В. Зубкова, J. Butler, А.Л. Вихарев, С.А. Богданов
Исследования примесного уровня бора в полупроводниковом алмазе методом температурной спектроскопии адмиттанса (доклад)
Е.П. Скипетров, М.М. Маркина, К.В. Захаров, А.А. Соловьев, А.В. Кнотько, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb1-yFeyTe (доклад)
В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин
Механизм инверсии при оптическом возбуждении двойных доноров магния в кремнии (доклад)
В.С. Багаев, В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, E.Е. Онищенко, А.А. Пручкина, А.А. Савинова, Н.А. Смирнова
Оптическая спектроскопия комплексных дефектов в компенсированных кристаллах Cd(Zn)Te (доклад)
А.А. Алтухов, Ю.В. Гуляев, Н.Х. Талипов, Р.А. Хмельницкий, Г.В. Чучева
Особенности активации бора имплантированного при больших дозах в природные кристаллы алмаза (доклад)
В.В. Козловский, Б.Я. Бер, Е.В. Богданова, Н.В. Середова А.А. Лебедев
Особенности радиационного дефектообразования в 6H- и 4H-SiC n- и p- типа проводимости (доклад)
И.А. Курова, Н.Н. Ормонт
Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400K (доклад)
В.П. Мартовицкий, Ю.Г. Садофьев
Рентгенодифракционное выявление повышенной концентрации точечных дефектов в эпитаксиальных слоях Si1-xGex и Ge1-xSnx. (доклад)
Л.Б. Карлина, А.C. Власов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, М.М. Кулагина
Роль изовалентных сурфактантов в процессах диффузии цинка в арсениде галлия (доклад)
Ю.В. Жиляев, В.В. Зеленин, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, Н.К. Полетаев, А.П. Скворцов
Спектры поглощения кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er3+ (доклад)
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Термостимулированные токи в PbSnTe:In при заполнении центров захвата освещением и инжекцией из контактов (доклад)
Е.В. Иванова, М.В. Заморянская, М.Г. Мынбаева
Точечные дефекты в объемном GaN (доклад)
Н.С. Аверкиев, I.B. Bersuker, В.В. Гудков, S. Zherlitsyn, S. Yasin, И.В. Жевстовских, К.А. Барышников, А.М. Монахов, М.Н. Сарычев, Ю.В. Коростелин
Ультразвуковое определение параметров эффекта Яна-Теллера в полупроводниковом кристалле CdSe:Cr2+ (доклад)
Л.В. Арапкина, М.С. Сторожевых, К.В. Чиж, В.А. Чапнин, В.А. Юрьев
Формирование наноразмерных дефектов роста на поверхности Si/Si(001) в процессе МЛЭ (доклад)
Э.А. Штейнман, А.В. Терещенко, В.В. Привезенцев
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами цинка (доклад)
И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, Z. Świątek, P. Ozga
Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe (доклад)

Высокочастотные явления в полупроводниках

Приглашенные доклады

В.В. Попов
Возбуждение фототока нецентросимметричным плазмонным полем в двумерной электронной системе 25 Сентября 09:30 - 10:00 (доклад)

Устные доклады

А.Д. Буравлев, И.А. Мустафин, В.Н. Трухин, J.P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen
Влияние резонансного поглощения Ми на эффективность генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах 25 Сентября 10:40 - 11:00 (доклад)
А.И. Майдыковский, С.Е. Свяховский, Т.В. Мурзина, А.Н. Степанов, С.Б. Бодров, А.А. Мурзанев, Ю.А. Сергеев
Генерация оптической второй гармоники, индуцированной мощным ТГц излучением в кристаллическом кремнии 25 Сентября 11:40 - 12:00 (доклад)
О.В. Кибис
Как подавить обратное рассеяние электронов проводимости? 25 Сентября 10:00 - 10:20 (доклад)
С.И. Дорожкин, А.А. Капустин
Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами вблизи гармоник циклотронного резонанса 25 Сентября 10:20 - 10:40 (доклад)
В.А. Гергель, А.В. Верховцева, Н.М. Горшкова, А.П. Зеленый, В.С. Минкин, В.В. Павловский
Теоретические основы проектирования мультибарьерных гетероструктур для генерации мощного терагерцового излучения 25 Сентября 11:20 - 11:40 (доклад)
T. Малин, В. Мансуров, G. Atmaca, E. Kutlu, P. Narin, B. Sarikavak-Lisesivdin, S. B. Lisesivdin, S. Ardali, E. Tiras
Энергетическая релаксация горячих электронов в AlGaN/GaN гетероструктурах 25 Сентября 11:00 - 11:20 (доклад)

Стендовые доклады

А.А. Горбацевич, В.И. Егоркин, И.П. Казаков, В.В. Капаев, В.Н. Мурзин, С.А. Савинов
Детектирование суб-ТГц излучения асимметричными резонансно-туннельными наноструктурами при нулевом смещении (доклад)
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Многофотонные эффекты в прохождении электрона через плавный барьер в микроволновом поле (доклад)
М.А. Ормонт, И.П. Звягин
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка (доклад)
А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, В.И. Санкин, Ю.Б. Васильев
Примесная ТГц люминесценция, индуцированная инжекцией неравновесных носителей заряда в легированных полупроводниках (доклад)

Органические полупроводники, молекулярные системы

Приглашенные доклады

А.В. Ненашев, J.O. Oelerich, А.В. Двуреченский, F. Gebhard, С.Д. Барановский
Транспортная энергия в неупорядоченных органических полупроводниках 24 Сентября 17:00 - 17:30 (доклад)

Устные доклады

А.Н. Алешин, И.П. Щербаков
Нанокомпозитные материалы с повышенной подвижностью на основе неорганических наночастиц, частиц графена, оксида графена встроенных в полимерную матрицу 24 Сентября 17:30 - 17:50 (доклад)
Т.Н. Копылова, Е.Н. Тельминов, В. Буртман
Создание органического инжекционного лазера – проблемы и достижения 24 Сентября 18:10 - 18:30 (доклад)
П.С. Крылов, А.С. Берестенников, А.Н. Алёшин
Эффекты низковольтного переключения в композитных плёнках полимер-частицы графена (оксида графена) 24 Сентября 17:50 - 18:10 (доклад)

Стендовые доклады

А.Б. Гордеева, И.В. Макаренко, В.П. Улин, В.Л. Берковиц
Влияние свойств подложки на формирование кристаллитов фталоцианина меди (доклад)
Е.В. Морозова, Р.Т. Сибатов
Дисперсионная адвекция-диффузия носителей заряда в полимерных мультислоях (доклад)
А.С. Берестенников, П.С. Крылов, А.Н. Алёшин
Композитные плёнки на основе биоцеллюлозы, модифицированной проводящим полимером PEDOT/PSS (доклад)
В.В. Травкин, Г.Л. Пахомов, В.И. Шашкин, П.А. Стужин
Многослойные структуры с изотипным молекулярным гетеропереходом (доклад)
М.Н. Журавлёв, А.А. Горбацевич, Т.С. Катаева
Молекулярный переключатель на основе транс-полиацетилена (доклад)
Е.С. Жукова, A. Pustogow, M. Pinteri´c, S.Tomi´c, J.A. Schlueter, Б.П. Горшунов, M. Dressel
Низкоэнергетические возбуждения в спиновой жидкости κ-(BEDT-TTF)2Cu2(CN)3 (доклад)
С.В. Новиков
Прыжковый транспорт носителей заряда в материалах с пространственно коррелированной экспоненциальной плотностью состояний (доклад)

Углеродные наноматериалы

Приглашенные доклады

А.A. Дубинов, В.И. Рыжий, В.Я. Алешкин, М.В. Рыжий, T. Otsuji
Усиление терагерцового излучения при туннелировании электронов между слоями графена 22 Сентября 12:10 - 12:40 (доклад)

Устные доклады

С.А. Тарасенко, Л.Е. Голуб, Е.Л. Ивченко
Долинные оптические и фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах 22 Сентября 13:20 - 13:40 (доклад)
Ю.Е. Лозовик, А.Д. Заболотский, А.А. Соколик
Квантовая емкость и скорость Ферми электронного газа в графене: влияние многочастичных эффектов 22 Сентября 12:50 - 13:10 (доклад)
Л.С. Брагинский, М.В. Энтин
МЕЖДОЛИННОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЗАРЯЖЕННЫМИ ПРИМЕСЯМИ В ГРАФЕНЕ 22 Сентября 13:40 - 14:00 (доклад)
Е.Е. Вдовин, M.T. Greenaway, A. Mishchenko, K.S. Novoselov, T.M. Fromhold, Ю.Н. Ханин, L. Eaves
Спектроскопия уровней Ландау при туннелировании в структурах графен/нитрид бора/графен. 22 Сентября 12:40 - 13:00 (доклад)

Стендовые доклады

С.В. Голод, М.А. Сергеев, В.А. Володин, А.И. Комонов, Р.А. Соотс, В.Я. Принц
Влияние высокотемпературных отжигов на морфологию поверхности меди и выращенного графена (доклад)
В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, В.М. Микушкин, С.П. Лебедев, А.А. Лебедев
Влияние дефектов и примесных комплексов, создаваемых контролируемым образом, на оптические и электрофизические свойства графена, синезированного на 6Н-SiC (доклад)
А.Л. Вихарев, А.Б. Мучников, Д.Б. Радищев, С.А. Богданов, В.А. Исаев, О.А. Иванов, А.М. Горбачев
Комбинированные подложки моно- и поликристаллического полупроводникового CVD алмаза большой площади (доклад)
Г.Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю.Б. Васильев, Ю.Л. Иванов, Р. Хауг
Линейное магнетоспротивление в двухслойном графене (доклад)
А.Д. Заболотский, Ю.Е. Лозовик
Псевдомагнитное поле в деформированном дираковском материале (доклад)
О.И. Хрыкин, Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, П.А. Юнин, В.И. Шашкин, С.А. Богданов, А.Б. Мучников, А.Л. Вихарев, Д.Б. Радищев, В.В. Чернов
Рост нанокристалических алмазных пленок на монокристаллическом AlN (доклад)
А.А. Грешнов, Я.М. Бельтюков
Теория квантового эффекта Холла в графене при 300K (доклад)
Г.Ю. Васильева, Ю.Б. Васильев, Ю.Л. Ивáнов, С. Новиков, С. Данилов
Терагерцовая фотопроводимость структур на основе эпитаксиального графена (доклад)
Г.В. Тихомирова, Т.К. Петросян, А.В. Тебеньков
Фазовые переходы в графите и графене при холодном сжатии (доклад)
С.Л. Коваленко, Т.В. Павлова, Б.В. Андрюшечкин, К.Н. Ельцов
Формирование монокристаллов графена на поверхности Ni(111) методом температурно-программируемого синтеза (доклад)

Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника

Приглашенные доклады

А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская
Микролазеры сверхмалого диаметра с квантовыми точками 24 Сентября 11:50 - 12:20 (доклад)
А.А. Максимов, И.И. Тартаковский, Е.В. Филатов, В.Д. Кулаковский, C. Schneider, S. Hӧfling, M. Kamp
Циркулярно поляризованные моды в планарном хиральном фотонном кристалле на основе GaAs 24 Сентября 12:20 - 12:50 (доклад)

Устные доклады

С.В. Лобанов, Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев
Кирально-модулированные полупроводниковые структуры для компактных источников циркулярно-поляризованного света 24 Сентября 12:50 - 13:10 (доклад)
А.А. Горбацевич, В.В. Капаев
Метарезонансы в структурах металл-диэлектрик 24 Сентября 13:10 - 13:30 (доклад)
А.А. Федянин
Нелинейно-оптические явления в полностью диэлектрических метаматериалах 24 Сентября 13:50 - 14:10 (доклад)
В.С. Горелик, В.В. Капаев
Усиление электромагнитного поля в конечной слоисто-периодической структуре 24 Сентября 13:30 - 13:50 (доклад)

Стендовые доклады

М.Ю. Барабаненков, В.Т. Волков, А.Н. Грузинцев, А.И. Ильин, О.В. Трофимов
Асимметричная структура из двух дифракционных решеток для ввода ИК излучения в Si полосковый волновод (доклад)
М.В. Степихова, С.М. Сергеев, В.А. Вербус, А.В. Новиков, З.Ф. Красильник, М.В. Шалеев, И.И. Амиров, J.G. Schilling
Модовый состав и люминесцентные свойства дисковых микрорезонаторов, сформированных на базе светоизлучающих структур с наноостровками Ge(Si) (доклад)
В.Л. Крутянский, А.Л. Чехов, А.И. Стогний
Нелинейно-оптические эффекты в Au/BIG магнитоплазмонных кристаллах (доклад)
В.К. Егоров, Е.В. Егоров
Особенности рентгеновской нанофотоники в условиях воздействия оптического излучения (доклад)
М.Ю. Барабаненков, Ю.Н. Барабаненков
Передача возбуждения вдоль 1D линейной цепочки плазмонных сферических наночастиц (доклад)
В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.И. Ушанов
Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs (доклад)
Л.С. Голобокова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.Б. Талочкин, В.А. Сейфи, А.В. Латышев
Экспериментальное исследование и численное моделирование оптических характеристик кремниевых нанопилларов (доклад)

Полупроводниковые приборы и устройства

Приглашенные доклады

В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Д. Кузьмин, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, А.В. Латышев
Гетероэпитаксиальные наноструктуры HgCdTe для фотоприемников и лазерных излучателей 23 Сентября 15:30 - 16:00 (доклад)
С.В. Морозов, В.В. Румянцев, А.В. Антонов, А.А. Дубинов, В.Я. Алёшкин, А.М. Кадыков, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко
Структуры HgCdTe для лазеров дальнего ИК диапазона 23 Сентября 15:00 - 15:30 (доклад)

Устные доклады

А.А. Гузев, В.М. Базовкин, А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, З.В. Панова, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров
CdHgTe P+/n структуры выращиваемые МЛЭ на подложках Si(310) для тепловизоров работающих при повышенных температурах. 23 Сентября 16:00 - 16:20 (доклад)
И.И. Засавицкий, М.Д. Кузьмичев, А.Н. Зубов, А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин, А.А. Падалица, А.В. Лобинцов, Ю.В. Курнявко, С.М. Сапожников, Т.А. Багаев, А.Ю. Андреев, В.А. Симаков, С.С. Зарубин
Квантовый каскадный лазер, излучающий в ИК области спектра около 10 мкм 24 Сентября 10:30 - 10:50 (доклад)
Д.Г. Есаев, А.П. Савченко, В.А. Фатеев, И.В. Марчишин, М.А. Демьяненко, А.И. Торопов, А.К. Калагин, Н.А. Валишева, Н.Р. Вицина
Матричные фотоприемники на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами форматом 384х288 и 640х512 23 Сентября 16:40 - 17:00 (доклад)
С.В. Гронин, С.В. Сорокин, И.В. Седова, Г.В. Климко, А.А. Торопов, К.Г. Беляев, С. Рувимов, П.С. Копьев, Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Г.П. Яблонский, С.В. Иванов
Низкопороговые лазеры желто-оранжевого диапазона на основе гетероструктур с квантовыми точками CdSe/ZnCdSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии 23 Сентября 17:00 - 17:20 (доклад)
В.И. Брылевский, А.В. Рожков, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов
Новый механизм генерации электронно-дырочной плазмы в GaAs диодах после пикосекундного лавинного переключения 24 Сентября 11:10 - 11:30 (доклад)
В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев
Нормально закрытый AlN-GaN СВЧ-транзистор. 24 Сентября 10:50 - 11:10 (доклад)
Ю.П. Яковлев, A.A. Леонидов, В.В. Шерстнев, Е.А. Гребенщикова, Н.Д. Ильинская, О.Ю. Серебренникова, R. Teissier, А.Н. Баранов
Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами 23 Сентября 17:20 - 17:40 (доклад)
К.С. Журавлев, А.К. Бакаров, Д.В. Гуляев, Д.Ю. Протасов, А.И. Торопов, В.М. Лукашин, В.Г. Лапин, А.Б. Пашковский
Статус и перспективы мощных DA-pHEMT СВЧ-транзисторов 23 Сентября 16:20 - 16:40 (доклад)

Стендовые доклады

О.А. Солтанович, Е.Б. Якимов
Анализ частотных зависимостей вольт-фарадных характеристик и адмиттанса светоизлучающих структур InGaN/GaN: влияние процессов релаксации заряда в квантовых ямах (доклад)
С.А. Рожков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.А. Курешов, Д.Р. Сабитов, А.В. Мазалов, А.А. Падалица, А.В. Долгих, А.В. Чикинев, С.В. Гамзинов, И.И. Гольдберг
Вклад электронных ловушек в темновой ток p-GaN(Cs,O) фотокатода (доклад)
Д.В. Гуляев, К.С. Журавлев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.Ю. Протасов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев
Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs бериллием на свойства p-HEMT AlGaAs/InGaAs/AlGaAs гетероструктур (доклад)
Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах (доклад)
А.А. Дубинов, С.С. Криштопенко, М.С. Жолудев, В.Я. Алешкин
Возможность стимулированного терагерцового излучения из HgCdTe структур c квантовыми ямами (доклад)
М.С. Иванов, П.Б. Родин, П.А. Иванов, И.В. Грехов
Волна ионизации TRAPATT-типа в карбидкремниевых и кремниевых пикосекундных лавинных обострителях (доклад)
А.Ю. Егоров, А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Е.В. Никитина, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, М. Tchernycheva, A. Bousseksou
Генерация излучения с длиной волны 5.8 мкм многопериодными квантово-каскадными лазерами при комнатной температуре (доклад)
А.А. Мармалюк, А.В. Мазалов, В.А. Курешов, Д.Р. Сабитов, А.А. Падалица, Р.Х. Акчурин
Гетероструктуры III-N для приборов полупроводниковой фотоэлектроники (доклад)
М.А. Ладугин, Т.А. Багаев, И.В. Яроцкая, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, А.Д. Максимов
Гетероструктуры с квантовыми ямами (Al)GaAs и (In)GaAsP для мощных полупроводниковых лазерных излучателей спектрального диапазона 780-810 нм (доклад)
П.Н. Брунков, В.И. Брылевский, И.А. Смирнова, П.Б. Родин, И.В. Грехов
Глубокие уровни в диодных структурах кремниевых лавинных обострителей субнаносекундного диапазона (доклад)
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, Е.Р. Закиров, А.П. Ковчавцев, З.В. Панова, М.В. Якушев
Изготовление и фотоэлектрические характеристики туннельных МОП диодов на КРТ (доклад)
М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, А.В. Бобыль, С.Г. Конников
Исследование сверхструктур в полупроводниковых приборах методом МУРР при длинах волн около краев поглощения элементов образца (доклад)
Пашаев Ислам Герай ог.
Исследованию релаксации избыточного тока кремниевых диодов Шоттки , изготовленного с применением различных аморфных металлических сплавом (доклад)
М.Д. Шарков, М.Е. Бойко, А.В. Бобыль, А.М. Бойко, С.Г. Конников
Исследования размеров в доменно-кластерной структуре GaN/SiC и пористого SiC - материалов для полупроводниковых лазеров (доклад)
В.П. Попов, M.A. Ильницкий, В.Н. Мордкович, A.В. Леонов
Квантовые поправки в эффекте линейной зарядовой связи порогов двухзатворных КНИ транзисторов толщиной до 200 нм (доклад)
М.А. Бобров, С.А. Блохин, А.Г. Кузьменков, Н.А. Малеев, А.А. Блохин, А.П. Васильев, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов
Контроль поляризации выходного излучения вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с ромбовидной токовой апертурой и внутрирезонаторными контактами (доклад)
Н.В. Крыжановская, Ю.В. Кудашова, Э.И. Моисеев, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, А.А. Липовский, Д.В. Карпов
Микролазеры анизотропной формы с активной областью на основе InAs/InGaAs квантовых точек (доклад)
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.И. Козлов, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк
Мозаичные фотоприемники обзорно-панорамного формата: разработка, применение и некоторые системные вопросы (доклад)
С.В. Сорокин, Г.В. Климко, С.В. Гронин, И.В. Седова, А.А. Ситникова, А.А. Торопов, Е.А. Европейцев, С.В. Иванов
Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток Zn(S)Se/CdSe/In0.3Ga0.7As с эффективной шириной запрещенной зоны 2.1-2.15 эВ (доклад)
С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, А.В. Рожков, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, В.А. Симаков
Мощные импульсные лазеры-тиристоры на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур (900нм) (доклад)
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, А.А. Ковалёв, М.Н. Путято, В.В. Преображенский, Н.Н. Рубцова, Б.Р. Семягин, Т.С. Шамирзаев
Наноструктуры A3B5 для пассивной синхронизации мод лазеров (доклад)
К.В. Чиж, В.А. Юрьев, В.А. Чапнин, О.В Уваров, В.П. Калинушкин
Неохлаждаемые микроболометры на основе диодов Шоттки (доклад)
О.Г. Кошелев, Г.Г. Унтила
О времени релаксации фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении (доклад)
О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов
Подвижность электронов в двухзатворных тонкопленочных КНИ-МОП транзисторах (доклад)
В.В. Золотарев, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов
Полупроводниковые лазеры с поверхностным распределенным брэгговским зеркалом высокого порядка дифракции (доклад)
В.В. Дюделев, Н.Д. Ильинская, Г.Г. Коновалов, Е.В. Kуницына, О.Ю. Серебренникова, Г.С. Соколовский, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев
Сверхбыстродействующие (полоса пропускания 2-10 ГГц) фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-3.8 мкм (доклад)
С.М. Некоркин, Б.Н. Звонков, Н.В. Дикарева, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, А.А. Дубинов В.Я. Алешкин К.Е. Кудрявцев, З.Ф. Красильник
Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке (доклад)
А.П. Ковчавцев, В.Г. Кеслер, A.А. Гузев, А.В. Царенко, З.В. Панова
Температурные зависимости адмиттанса InAs-MОП структур со сверхтонким окислом (доклад)
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, Н.Н. Рубцова
Техника двойной модуляции в исследовании кинетики поглощения/отражения полупроводниковых наноструктур (доклад)
Н.Ю. Гордеев, А.С. Паюсов, Ю.М. Шерняков, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.В. Максимов
Управление модовым составом излучения торцевых полупроводниковых лазеров с резонансно-связанными волноводами (доклад)
Д.В. Горшков, В.В. Бакин, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов
Упругое и неупругое рассеяние фотоэлектронов при фотоэмиссии из p-GaN(Cs,O) и p-GaAs(Cs,O) - фотокатодов (доклад)
А.А. Алтухов, Ю.В. Гуляев, К.Н. Зяблюк, Н.Х. Талипов, Г.В. Чучева
Формирование дельта легированного p-слоя в природных и CVD кристаллах алмаза при термообработках в водороде (доклад)
П.А. Иванов, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова
Электрическое сопротивление барьерных контактов Ti/n-4H-SiC при высоких плотностях прямого тока (доклад)

Наномеханика

Приглашенные доклады

Е.А. Вопилкин, С.А. Гусев, А.Ю. Климов, В.В. Рогов, Е.В. Скороходов, И.Ю. Шулешова, В.И. Шашкин
МЭМС структуры для сенсорных приложений 24 Сентября 17:00 - 17:30 (доклад)

Устные доклады

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Е.Е. Родякина, А.А. Шкляев
Возбуждение и детектирование колебаний наноэлектромеханических систем на основе гетероструктур с двумерным электронным газом 24 Сентября 17:30 - 17:50 (доклад)

Стендовые доклады

А.Н. Куприянов, О.С. Трушин, И. И. Амиров
Моделирование методом молекулярной динамики колебаний медных нанорезонаторов (доклад)
И.В. Уваров, О.М. Королева, В.В. Наумов
МЭМС-переключатель электростатического типа с механизмом активного размыкания электродов (доклад)

Топологические изоляторы

Приглашенные доклады

С.И. Веденеев
Квантовые осцилляции в сильных магнитных полях, фаза Берри и сверхпроводимость в 3D топологических изоляторах Bi2CuxSe3 24 Сентября 10:30 - 11:00 (доклад)
А.Н. Поддубный
Топологические состояния фотонов в наноструктурах 24 Сентября 11:00 - 11:30 (доклад)

Устные доклады

С.Г. Егорова, В.И. Черничкин, Л.И. Рябова, Е.П. Скипетров, Л.В. Яшина, С.Н. Данилов, С.Д. Ганичев, Д.Р. Хохлов
Детектирование протяженных поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах Pb1-xSnxSe с помощью лазерного терагерцового излучения 24 Сентября 13:10 - 13:30 (доклад)
В.А. Сабликов, А.А. Суханов
Квантовые примесные состояния в 2D топологических изоляторах 24 Сентября 12:10 - 12:30 (доклад)
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Магнитоемкостная спектроскопия трехмерного топологического изолятора на основе HgTe 24 Сентября 12:30 - 12:50 (доклад)
Л.Е. Голуб, В.В. Бельков, H. Plank, S.D. Ganichev
Нелинейный транспорт в топологических изоляторах 24 Сентября 13:30 - 13:50 (доклад)
В.И. Гавриленко, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.Е. Спирин, Л.С. Бовкун, M. Orlita, F. Teppe, W. Knap, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов
О структуре валентной зоны квантовых ям HgTe/CdHgTe 24 Сентября 12:50 - 13:10 (доклад)
А.А. Капустин, В.С. Столяров, С.И. Божко, Д.Н. Борисенко, Н.Н. Колесников
Транспортные и туннельные измерения Bi2Te2Se: свойства объемных и квазидвумерных носителей заряда. 24 Сентября 11:50 - 12:10 (доклад)
А.В. Галеева, С.Г. Егорова, М.Е. Тамм, Л.В. Яшина, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов
Фотоэлектромагнитный эффект в топологических изоляторах (Bi_(1-x)In_x)_2Se_3 в окрестности бесщелевого состояния 24 Сентября 13:50 - 14:10 (доклад)

Стендовые доклады

В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.А. Шегай, О.Е. Терещенко
p-n переход в объеме и на поверхности топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3 (доклад)
Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Г.М. Гусев, А.Д. Левин, О.Е. Райчев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Двумерный топологический изолятор в широких квантовых ямах HgTe (доклад)
И.В. Загороднев, В.В. Еналдиев, В.А. Волков
Зависимость спектра поверхностных состояний в 2D и 3D топологических изоляторах от условий на поверхности (доклад)
Н.Н. Новикова, В.А. Яковлев, И.В. Кучеренко
Инфракрасные спектры пленок Bi2Se3 на кремнии (доклад)
Д.В. Хомицкий, А.А. Чубанов, А.В. Мишин, А.С. Козулин, А.А. Конаков
Одномерные и нульмерные системы на основе поверхности топологических изоляторов (доклад)
А.С. Козулин, А.А. Конаков
Определение зонных параметров поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора по данным спектроскопии уровней Ландау (доклад)
A.Y. Bykov, T.V. Murzina, N. Olivier, G.A. Wurtz, A.V. Zayats
Сверхбыстрая динамика отклика второй оптической гармоники от поверхности топологического изолятора Bi_2Te_3 (доклад)
А.Ю. Дмитриев, Н.И. Федотов, В.Ф. Насретдинова, С.В. Зайцев-Зотов
Сканирующая туннельная спектроскопия ступеней на поверхности Bi2Se3 (доклад)
М.Л. Савченко, Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженного слоя теллурида ртути (доклад)
В.И. Белявский, А.А. Горбацевич
Спонтанная поляризация ферроэлектриков: топологические и нетопологические аспекты (доклад)
В.В. Глушков, А.Д. Божко, Н.О. Жаднов, С.В. Демишев, В.В. Воронов, А.В. Кузнецов, И.И. Санников, В.Б. Филиппов, Н.Ю. Шицевалова, Н.Е. Случанко
Транспортные и магнитные свойства YbB6 (доклад)
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, К.А. Кох, И.И. Климовских, А.М. Шикин, С.В. Еремеев, Е.В. Чулков
Формирование комбинированной электронной структуры спин-поляризованных поверхностных состояний Дирака и Рашбы (доклад)
C.Г. Егорова, В.И. Черничкин, Л.И. Рябова, В.А. Касьян, Л. Черняк, С.Н. Данилов, Д.Р. Хохлов
Электронный транспорт и фотоэлектрические эффекты в виртуальном кристаллическом топологическом изоляторе PbSe, модифицированном окислением (доклад)
А.В. Фролов, Ю.И. Латышев, В.А. Прудкогляд, Т. Вэйд, А.П. Орлов, В.А. Волков, В.М. Пудалов, М. Конциковский
Эффект Ааронова-Бома и поверхностные состояния Тамма-Шокли в висмутовых нанопроволоках. (доклад)
Г.В. Будкин, С.А. Тарасенко, В.В. Бельков, K.-M. Dantscher, Д.А. Козлов, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, D. Weiss, С.Д. Ганичев
Эффект электронного храповика на поверхностных состояниях напряженных пленок HgTe в условиях циклотронного резонанса (доклад)
Л.С. Бовкун, С.С. Криштопенко, К.Е. Спирин, М.С. Жолудев, А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов
Эффективные значения g-фактора в зоне проводимости 2D топологических изоляторов (доклад)