Всем докладам присвоены коды, которые приведены перед их названиями. Формат кода для устных докладов: <День недели> <Зал: А – Большой, Б - Малый> <Номер заседания> <Порядковый номер доклада>  <статус доклада: пл – пленарный, п – приглашенный, у – устный>

Понедельник, 21 сентября

Открытие конференции
Пленарное заседание
Большой зал ●11.40–13.30

■ Е. Л. Ивченко
Вступительное слово

Пн А 0-1пл П. С. Копьев
Нитриды в мире и в России (40 мин)
Пн А 0-2пл В. М. Пудалов
Термодинамика и магнитопроводимость коррелированной
2D электронной системы (40 мин)

Гетероструктуры и сверхрешетки I
Большой зал ●14.30–17.40

Председатель: В. Б. Тимофеев

Пн А 1-1п С. С. Гаврилов, Н. А. Гиппиус, А. А. Деменев, В. Д. Кулаковский
Нестационарные и переходные состояния сильнонеравновесного конденсата экситонных поляритонов (30 мин)

Пн А 1-2п А. С. Журавлев
Конденсация спин-циклотронных экситонов в GaAs/AlGaAs гетероструктурах  (30 мин)

Пн А 1-3у А. В. Черненко, Ю. Фишер, С. Бродбек, И. Ледерер, А. Рахими-Иман, М. Амтор, В. Д. Кулаковский, М. Камп, М. Дурнев, К. Шнайдер, А. В. Кавокин, С. Хёфлинг
Конденсат поляритонов в магнитном поле: изменение знака g-фактора и скачок диамагнитной восприимчивости (20 мин)

Пн А 1-4у Т. С. Шамирзаев, J. Debus, М. М. Глазов, Е. Л. Ивченко, Д. Р. Яковлев, M. Bayer
Динамика рекомбинации экситонов в гетероструктурах с монослойными квантовыми ямами GaAs/AlAs и InAs/AlAs в сильных магнитных полях  (20 мин)

перерыв 10 минут

Председатель: С. Г. Тиходеев

Пн А 1-5у И. Я. Герловин, И. И. Игнатьев, И. А. Ловцюс, В. В. Петров, А. В. Трифонов
Биения квантово-размерных экситонных состояний в InGaAs/GaAs гетероструктуре (20 мин)

Пн А 1-6у Р. В. Чербунин, Н. Е. Коптева, А. В. Михайлов
Гигантское керровское вращение света в структурах с микрорезонаторами (20 мин)

Пн А 1-7у В. В. Белых, М. В. Кочиев
Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs (20 мин)

Пн А 1-8у А. Ю. Маслов, О. В. Прошина
Электрон-фононное взаимодействие в анизотропных квантовых ямах (20 мин)

Поверхность, пленки, слои I
Малый зал ●14.30–17.40

Председатель: А. В. Латышев

Пн Б 1-1п А. Г. Журавлев, А. С. Романов, А. Г. Паулиш, Г. Э. Шайблер, В. Л. Альперович
Фотоэмиссия из GaAs с неравновесными слоями цезия (30 мин)

Пн Б 1-2п М. О. Нестоклон
Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах (30 мин)

Пн Б 1-3у А. Б. Одобеско, А. А. Майзлах, С. В. Зайцев-Зотов
Влияние динамической Кулоновской блокады на туннельные характеристики поверхности Si(111)-7x7 (20 мин)

Пн Б 1-4у А. Н. Чайка, O. В. Молодцова, С. Бабенков, A. Захаров, YuranNiu, Д. Марченко, J. Sánchez-Barriga, P. Mandal, A. Варыхалов, A. Locatelli, A. Sala, T. Onur Mentes, В. Ю. Аристов
Атомная и электронная структура графена на поверхности кубического карбида кремния SiC(001) (20 мин)

перерыв 10 минут

Председатель: В. М. Пудалов

Пн Б 1-5у А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов
Структурный переход 4х2/с8х2→nх6 на поверхности GaAs(001) при температурах 350-500 °С (20 мин)

Пн Б 1-6у В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов
Механизмы Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности р-GaAs(Cs,O) (20 мин)

Пн Б 1-7у В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. А. Рожков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов
Неупругое рассеяние фотоэлектронов на границе раздела p+ - GaAs(Cs,O) – вакуум  (20 мин)

Пн Б 1-8у Д. В. Грузнев, Л. В. Бондаренко, А. В. Матецкий, А. Ю. Тупчая, С. В. Еремеев, J.-P. Chou, C.-R. Hsing, C.-M. Wei, А. В. Зотов, А. А. Саранин
Управление структурой спин-расщепленных электронных состояний в двумерных сплавах на поверхности полупроводников (20 мин)

Стендовая сессия I ●18.00–20.00

Вторник, 22 сентября

Гетероструктуры и сверхрешетки II
Большой зал ●9.30–11.50

Председатель: В. И. Гавриленко

Вт А 1-1п А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, Н. Черкашин, В. М. Устинов
Стимулированная фазовая сепарация в InGaAlN гетероструктурах (30 мин)

Вт А 1-2п В. В. Бельков, М. М. Глазов, Л. Е. Голуб, М. А. Семина, З. Д. Квон, Д. А. Козлов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, C. Zoth, С. Д. Ганичев
Квантовые осцилляции фототока в квантовых ямах на основе теллурида ртути (30 мин)

Вт А 1-3у И. В. Алтухов, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов
Влияние ТГц резонатора на туннельную проводимость короткопериодных сверхрешеток (20 мин)

Вт А 1-4у Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, M. Henini
Осцилляции фотопроводимости в p-i-n GaAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками (20 мин)

Вт А 1-5у М. А. Пятаев, А .В. Шорохов, Д. С. Приймак, Н. Н. Хвастунов, К. Н. Алексеев
Механизм усиления терагерцового излучения на отрицательных электронных массах в полупроводниковой сверхрешетке (20 мин)

Вт А 1-6у М. П. Теленков, Ю. А. Митягин, А. А. Куцевол, В. В. Агафонов
Межподзонная инверсия населенностей и вынужденные излучательные переходы терагерцового диапазона в системе уровней Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям (20 мин)

Объемные полупроводники
Малый зал ●9.30–11.50

Председатель: А. А. Горбацевич

Вт Б 1-1п П. П. Васильев
Квантовый фазовый переход в процессе сверхизлучения в полупроводниках при комнатной температуре (30 мин)

Вт Б 1-2п Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, С. Г. Павлов, H.-W. Hübers
Механизмы стимулированного излучения в кремнии с мелкими примесными центрами: вынужденное комбинационное рассеяние и инверсия населенност (30 мин)

Вт Б 1-3у С. В. Мутилин, А. Ф. Булдыгин, Л. В. Яковкина, В. Я. Принц
Фазовый переход полупроводник-металл в диоксиде ванадия: обзор работ и результаты воздействия импульсного СВЧ поля (20 мин)

Вт Б 1-4у В. С. Багаев, Ю. В. Клевков, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. А. Пручкина
Излучение изолированных систем типа «точечный дефект - дислокация» в высокочистых поликристаллах CdTe (20 мин)

Вт Б 1-5у А. И. Вейнгер, А. Г. Забродский, П. В. Семенихин, Т. В. Тиснек, С. И. Голощапов
Спиновое упорядочение и низкотемпературный транспорт в Ge:As вблизи фазового перехода изолятор – металл (20 мин)

Вт Б 1-6у М. А. Семина, М. М. Глазов, J. Thewes, J. Heckotter, T. Kazimierczuk, M. Aßmann, D. Frohlich, M. Bayer
Тонкая структура F-экситонов в закиси меди (20 мин)

Двумерные системы I
Большой зал ●12.10–14.00

Председатель: Р. А. Сурис

Вт А 2-1п М. В. Боев, В. М. Ковалев, А. В. Чаплик
Акустоэкситонное взаимодействие в бозе-эйнштейновском конденсате непрямых дипольных экситонов (30 мин)

Вт А 2-2у А. В. Горбунов, Л. В. Кулик, А. С. Журавлев, В. Б. Тимофеев, И. В. Кукушкин
Сверхмедленная спиновая релаксация в системе двумерных электронов (20 мин)

Вт А 2-3у В. К. Калевич, М. М. Афанасьев, В.А. Лукошкин, Д. Д. Солнышков, G. Malpuech, К. В. Кавокин, S. I. Tsintzos, Z. Hatzopoulos, P. G. Savvidis, А. В. Кавокин
Структурирование конденсата экситонных поляритонов в цилиндрических пилларах с микрорезонатором (20 мин)

Вт А 2-4у Т. М. Бурбаев, М. А. Акмаев, Д. С. Козырев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Н. Н. Сибельдин, В. В. Ушаков, В. А. Цветков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
Электронно-дырочная жидкость в Si/Ge гетероструктурах II рода (20 мин)

Вт А 2-5у В. В. Еналдиев, В. А. Волков
Поверхностные состояния в висмутовой нанопроволоке (20 мин)

Углеродные наноматериалы
Малый зал ●12.10–14.00

Председатель: Г. М. Миньков

Вт Б 2-1п А. A. Дубинов, В. И. Рыжий, В. Я. Алешкин, М. В. Рыжий, T. Otsuji
Усиление терагерцового излучения при туннелировании электронов между слоями графена (30 мин)

Вт Б 2-2у Е. Е. Вдовин, M. T. Greenaway, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, T .M. Fromhold, Ю. Н . Ханин, L. Eaves
Спектроскопия уровней Ландау при туннелировании в структурах графен/нитрид бора/графен (20 мин)

Вт Б 2-3у Ю. Е. Лозовик, А. Д. Заболотский, А. А. Соколик
Квантовая емкость и скорость Ферми электронного газа в графене: влияние многочастичных эффектов (20 мин)

Вт Б 2-4у С. А. Тарасенко, Л. Е. Голуб, Е. Л. Ивченко
Долинные оптические и фотогальванические эффекты в двумерных кристаллах (20 мин)

Вт Б 2-5у Л. С. Брагинский, М. В. Энтин
Междолинное рассеяние электронов заряженными примесями в графене (20 мин)

Двумерные системы II
Большой зал ●15.00–17.40

Председатель: А. В. Чаплик

Вт А 3-1п А. Б. Ваньков, И. В. Кукушкин, В. В. Соловьев
Магнитооптика сильнокоррелированных двумерных электронных систем в структурах ZnO/MgZnO (30 мин)

Вт А 3-2п В. М. Муравьев, П. А. Гусихин, И. В. Кукушкин
Новый тип плазменных возбуждений в двумерной электронной системе с верхним затвором (30 мин)

Вт А 3-3у С. И. Дорожкин, K. vonKlitzing, J. H. Smet
Нерегулярные перевороты электрического поля в доменной структуре, возникающей в неравновесных двумерных электронных системах под микроволновым облучением (20 мин)

Вт А 3-4у А. А. Заболотных, В. А. Волков
Спектр краевых плазмонов при учёте электромагнитного запаздывания (20 мин)

Вт А 3-5у И. В. Андреев, В. М. Муравьев, В. Н. Белянин, И. В. Кукушкин
Радиационный и релаксационный вклад в ширину линии магнитоплазменного резонанса в двумерных электронных системах (20 мин)

Вт А 3-6у А. Р. Хисамеева, В. Н. Белянин, П. А. Гусихин, В. М. Муравьев, И. В. Кукушкин
Плазменные возбуждения в двумерной системе тяжелых анизотропных фермионов (20 мин)

Вт А 3-7у А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефёдов, И. В. Кукушкин
Изучение спиновых свойств двумерных систем с тяжелыми электронами посредством методики ЭПР (20 мин)

Одномерные и нульмерные системы I
Малый зал ●15.00–17.30

Председатель: С. В. Зайцев-Зотов

Вт Б 3-1п А. В. Родина, Ал. Л. Эфрос
Радиационная рекомбинация темного экситона  в коллоидных нанокристаллах (30 мин)

Вт Б 3-2п А. Г. Милёхин, Л. Л. Свешникова, Т. А. Дуда, Е. Е. Родякина, Н. А. Ерюков, V. M. Dzhagan, E. Sheremet, O. D. Gordan, А. В. Латышев, D. R. T. Zahn
Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми нанокристаллами на плазмонных структурах (30 мин)

Вт Б 3-3п А. А. Шевырин, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев
Аномалии электронного транспорта в подвешенных полупроводниковых наноструктурах (30 мин)

Вт Б 3-4у А. М. Смирнов, М. В. Козлова, В. С. Днепровский
Нелинейные оптические процессы при самодифракции трех лазерных лучей в коллоидных квантовых точках CdSe/ZnS (20 мин)

Вт Б 3-5у С. Г.Зыбцев, В. Я. Покровский
Структурная перестройка волны зарядовой плотности при одноосной деформации и аномалии механических свойств квазиодномерных проводников (20 мин)

Вт Б 3-6у С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский, А. П. Орлов
NbS3 - уникальный квазиодномерный полупроводник с тремя пайерлсовскими переходами (20 мин)

Стендовая сессия II ●18.00–20.00

Среда, 23 сентября

Двумерные системы III
Большой зал ●15.00–17.40

Председатель: В. А. Волков

Ср А 1-1п А. А. Быков
Нелинейный электронный транспорт в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения (30 мин)

Ср А 1-2п Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Квантовый эффект Холла в системе дираковских фермионов на основе HgTe (30 мин)

Ср А 1-3у Г. М. Миньков, А. В. Германенко, А. А. Шерстобитов, О. Э. Рут, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Гигантское нарушение электрон-дырочной симметрии спин-орбитального расщепления дираковских фермионов в HgTe ямах (20 мин)

Ср А 1-4у З. Д. Квон, T. Herrman, Д. А. Козлов, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, B. Jentzsch, P. Olbrich, С. Д. Ганичев, D. Weiss
Осцилляции магнитопроводимости двумерного электронного газа, индуцированные мощным терагерцовым излучением (20 мин)

Ср А 1-5у А. А. Шерстобитов, Г. М. Миньков, А. В. Германенко, О. Е. Рут, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Квантовая емкость двумерных систем HgTe при толщинах, близких к критической (20 мин)

Ср А 1-6у И. Л. Дричко, И. Ю. Смирнов, А. В. Суслов, L. N. Pfeiffer, K. W. West, Ю. М. Гальперин
Вигнеровский кристалл в режиме дробного квантового эффекта Холла в окрестности ν=1/5. Акустические методы исследования (20 мин)

Ср А 1-7у А. В. Германенко, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, А. А. Шерстобитов, Н. Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Слабая антилокализация в квантовых ямах HgTe вблизи дираковской точки (20 мин)

Полупроводниковые приборы и устройства I
Малый зал ●15.00–17.40

Председатель: А. С. Терехов

Ср Б 1-1п С. В. Морозов, В. В. Румянцев, А. В. Антонов, А. А. Дубинов, В. Я. Алёшкин, А. М. Кадыков, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий и В. И. Гавриленко
Структуры HgCdTe для лазеров дальнего ИК диапазона (30 мин)

Ср Б 1-2п В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий,В. Д. Кузьмин, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. В. Сабинина, Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, А. В. Латышев
Гетероэпитаксиальные наноструктуры HgCdTe для фотоприемников и лазерных излучателей (30 мин)

Ср Б 1-3у А. А. Гузев, В. М. Базовкин, А. П. Ковчавцев, А. В. Царенко, З. В. Панова, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров
CdHgTe p+/n структуры выращиваемые МЛЭ на подложках Si(310) для тепловизоров работающих при повышенных температурах (20 мин)

Ср Б 1-4у К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, Д. В. Гуляев, Д. Ю. Протасов, А. И. Торопов, В. М. Лукашин, В. Г. Лапин, А. Б. Пашковский
Статус и перспективы мощных DA-pHEMT СВЧ-транзисторов (20 мин)

Ср Б 1-5у Д. Г. Есаев, А. П. Савченко, В. А. Фатеев, И. В. Марчишин, М. А. Демьяненко, А. И. Торопов, А. К. Калагин, Н. А. Валишева, Н. Р. Вицина
Матричные фотоприемники на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами форматом 384х288 и 640х512 (20 мин)

Ср Б 1-6у С. В. Гронин, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Г. В. Климко, А. А. Торопов, К. Г. Беляев, С. Рувимов, П. С. Копьев, Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Г. П. Яблонский, С. В. Иванов
Низкопороговые лазеры желто-оранжевого диапазона на основе гетероструктур с квантовыми точками CdSe/ZnCdSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (20 мин)

Ср Б 1-7у Ю. П. Яковлев, A. A. Леонидов, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов
Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами (20 мин)

Стендовая сессия III  ●18.00–20.00

Четверг, 24 сентября

Гетероструктуры и сверхрешетки III
Большой зал ●9.30–10.30

Председатель: В. Я. Алешкин

Чт А 1-1у О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, И. С. Терехов, О. П. Сушков
Электростатическая сверхрешетка как искусственный графен: критический беспорядок и электронная экранировка (20 мин)

Чт А 1-2у Е. А. Емельянов, А. В. Васев, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский
Молекулярно-лучевая эпитаксия сверхрешеток GaSb/InAs: влияние температуры роста на свойства структур (20 мин)

Чт А 1-3у М. М. Соболев, М. C. Буяло, В. Н. Неведомский,
Ю. М. Задиранов, Р. В. Золотарева, Е. Л. Портной
Прямое наблюдение полярона в сверхрешетке квантовых точек In(Ga)As/GaAs (20 мин)

Одномерные и нульмерные системы II
Малый зал ●9.30–10.30

Председатель: М. М. Глазов

Чт Б 1-1у В. П. Koчерешко, А. В. Платонов, В. Н. Кац, P Savvidis, A. V. Kavokin, L. Besombes, H. Mariette
Бозе конденсация экситонных поляритонов в микрорезонаторах индуцированная магнитным полем (20 мин)

Чт Б 1-2у В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, Р. А. Кучинская, С. А. Рудин, А. В. Мудрый
Разреженные массивы кольцевых молекул из квантовых точек (20 мин)

Чт Б 1-3у В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. И. Деребезов
Неклассические излучатели на основе квантовых точек (20 мин)

Топологические изоляторы I
Большой зал ●10.30–11.30

Председатель: А. А. Саранин 

Чт А 2-1п С. И. Веденеев
Квантовые осцилляции в сильных магнитных полях, фаза Берри и сверхпроводимость в 3D топологических изоляторах Bi2CuxSe3 (30 мин)

Чт А 2-2п А. Н. Поддубный
Топологические состояния фотонов в наноструктурах (30 мин)

Полупроводниковые приборы и устройства II
Малый зал ●10.30–11.30

Председатель: Ю. П. Яковлев

Чт Б 2-1у И. И. Засавицкий, М. Д. Кузьмичев, А. Н. Зубов,
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, Ю. В. Курнявко, С. М. Сапожников, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, В. А. Симаков, С. С. Зарубин
Квантовый каскадный лазер, излучающий в ИК области спектра около 10 мкм (20 мин)

Чт Б 2-2у В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев
Нормально закрытый AlN-GaN СВЧ-транзистор  (20 мин)

Чт Б 2-3у В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов
Новый механизм генерации электронно-дырочной плазмы в GaAs диодах после пикосекундного лавинного переключения (20 мин)

Топологические изоляторы II
Большой зал ●11.50–14.10

Председатель: А. В. Двуреченский

Чт А 3-1у А. А. Капустин, В. С. Столяров, С. И. Божко, Д. Н. Борисенко, Н. Н. Колесников
Транспортные и туннельные измерения Bi₂Te₂Se: свойства объемных и квазидвумерных носителей заряда (20 мин)

Чт А 3-2у В. А. Сабликов, А. А. Суханов
Квантовые примесные состояния в 2D топологических изоляторах (20 мин)

Чт А 3-3у Д. А. Козлов, З. Д. Квон, D. Weiss, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Магнитоемкостная спектроскопия трехмерного топологического изолятора на основе HgTe  (20 мин)

Чт А 3-4у В. И. Гавриленко, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. Е. Спирин, Л. С. Бовкун, M. Orlita, F. Teppe, W. Knap, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов
О структуре валентной зоны квантовых ям HgTe/CdHgTe (20 мин)

Чт А 3-5у С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, Е. П. Скипетров, Л. В. Яшина, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, Д. Р. Хохлов
Детектирование протяженных поверхностных состояний в кристаллических топологических изоляторах Pb_1-xSn_xSe с помощью лазерного терагерцового излучения (20 мин)

Чт А 3-6у Л. Е. Голуб, В. В. Бельков, H. Plank, S. D. Ganichev
Нелинейный транспорт в топологических изоляторах (20 мин)

Чт А 3-7у А. В. Галеева, С. Г. Егорова, М. Е. Тамм, Л. В. Яшина, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
Фотоэлектромагнитный эффект в топологических изоляторах (Bi_1-xIn_x)₂Se₃ в окрестности бесщелевого состояния (20 мин)

Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника
Малый зал ●11.50–14.10

Председатель: П. С. Копьев

Чт Б 3-1п А. Е. Жуков, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская
Микролазеры сверхмалого диаметра с квантовыми точками (30 мин)

Чт Б 3-2п А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Е. В. Филатов, В. Д. Кулаковский, C. Schneider, S. Hӧfling, M. Kamp
Циркулярно поляризованные моды в планарном хиральном фотонном кристалле на основе GaAs (30 мин)

Чт Б 3-3у С. В. Лобанов, Н. А. Гиппиус, В. Д. Кулаковский, С. Г. Тиходеев
Кирально-модулированные полупроводниковые структуры для источников циркулярно-поляризованного света (20 мин)

Чт Б 3-4у А. А. Горбацевич, В. В. Капаев
Метарезонансы в структурах металл-диэлектрик  (20 мин)

Чт Б 3-5у В. С. Горелик, В. В. Капаев
Усиление электромагнитного поля в конечной слоисто-периодической структуре (20 мин)

Чт Б 3-6у А. А. Федянин
Нелинейно-оптические явления в полностью диэлектрических метаматериалах (20 мин)

Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм I
Большой зал ●15.10–16.40

Председатель: Ю. Г. Кусраев

Чт А 4-1п В. С. Запасский
Спектроскопия спонтанного магнитного резонанса полупроводниковых структур (30 мин)

Чт А 4-2у Н. С. Аверкиев, Б. А. Аронзон, А. Б. Давыдов, И. В. Крайнов, В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, И. В. Рожанский, Е. И. Яковлева
Ферромагнетизм и аномальный эффект Холла в 2D структуре GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным дельта слоем Mn (20 мин)

Чт А 4-3у Н. С. Аверкиев, М. О. Нестоклон, С. А. Тарасенко
Слабая локализация и антилокализация в многодолинных наноструктурах (20 мин)

Чт А 4-4у И. В. Рожанский, К. С. Денисов, Н. С. Аверкиев
Эффекты резонансно-туннельной спиновой поляризации в гетероструктурах (20 мин)

Поверхность, пленки, слои II
Малый зал ●15.10–16.40

Председатель: И. И. Засавицкий

Чт Б 4-1п Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, Н. П. Степина, А. В. Двуреченский
Пространственно упорядоченные планарные ансамбли квантовых точек (30 мин)

Чт Б 4-2у О. Е. Терещенко, В. А. Голяшов, С. В. Еремеев, Л. В. Бондаренко, А. Ю. Тупчая, Д. В. Грузнев, А. А. Саранин
Поиск снятия вырождения Рашбы 2D электронных состояний в системе Bi/InAs(111)A (20 мин)

Чт Б 4-3у М. В. Лебедев, B. Kaiser, W. Jaegermann
Синхротронные исследования фотоэлектрохимического разложения воды на границе p-GaInP2 с водным раствором HCl (20 мин)

Чт Б 4-4у П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, В. П. Улин, В. Л. Берковиц
Нитридная химическая пассивация поверхности GaAs нанопроводов (20 мин)

Наномеханика. Примеси и дефекты.
Большой зал ●17.00–18.30

Председатель: Д. Р. Хохлов

Чт А 5-1п Е. А. Вопилкин, С. А. Гусев, А. Ю. Климов, В. В. Рогов,
Е. В. Скороходов, И. Ю. Шулешова, В. И. Шашкин
МЭМС структуры для сенсорных приложений (30 мин)

Чт А 5-2у А. А. Шевырин, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. Е. Родякина и А. А. Шкляев
Возбуждение и детектирование колебаний наноэлектромеханических систем на основе гетероструктур с двумерным электронным газом (20 мин)

Чт А 5-3у Е. П. Скипетров, О. В. Крулевецкая, Л. А. Скипетрова, Е. И. Слынько, В. Е. Слынько
Стабилизация уровня Ферми в теллуриде свинца, легированном железом, под давлением (20 мин)

Чт А 5-4у А. Т. Лончаков, С. Б. Бобин, В. В. Дерюшкин, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова
Наблюдение проявлений токов спонтанного намагничения в кристаллах селенида ртути с низкой концентрацией примесей 3d- металлов (20 мин)

Органические полупроводники, молекулярные системы
Малый зал ●17.00–18.30

Председатель: А. Е. Жуков

Чт Б 5-1п А. В. Ненашев, J. O. Oelerich, А. В. Двуреченский, F. Gebhard, С. Д. Барановский
Транспортная энергия в неупорядоченных органических полупроводниках (30 мин)

Чт Б 5-2у А. Н. Алешин, И. П. Щербаков
Нанокомпозитные материалы с повышенной подвижностью на основе неорганических наночастиц, частиц графена, оксида графена встроенных в полимерную матрицу (20 мин)

Чт Б 5-3у П. С. Крылов, А. С. Берестенников, А. Н. Алёшин
Эффекты низковольтного переключения в композитных плёнках полимер-частицы графена (оксида графена) (20 мин)

Чт Б 5-4у Т. Н. Копылова, Е. Н. Тельминов, В. Буртман
Создание органического инжекционного лазера – проблемы и достижения (20 мин)

Пятница, 25 сентября

Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм II
Большой зал ●9.30–12.00

Председатель: В. А. Сабликов

Пт А 1-1п В. Л. Коренев, M. Salewski, И. A. Aкимов, В. Ф. Сапега, L. Langer, И. В. Калитухо, J. Debus, Р. И. Джиоев, Д. Р. Яковлев, D. Müller, C. Schröder, H. Hövel, G. Karczewski, M. Wiater, T. Wojtowicz, Ю. Г. Кусраев и M. Bayer
Ферромагнитный эффект близости в гибридах ферромагнетик/полупроводниковая квантовая ям (30 мин)

Пт А 1-2у L. Langer, С. В. Полтавцев, И. А. Югова, M. Salewski, Д. Р. Яковлев, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, И. А. Акимов, M. Bayer
Фотонное эхо на системе спинов в полупроводнике: доступ к долговременной оптической памяти  (20 мин)

Пт А 1-3у Е. А. Жуков, Д. Р. Яковлев, Ю. Г. Кусраев, К. В. Кавокин, J. Debus, И. А. Акимов, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, M. Bayer
Спиновая динамика дырочного магнитного полярона в квантовых ямах (Cd,Mn)Te/(Cd,Mn,Mg) (20 мин)

Пт А 1-4у А. В. Ларионов, Л. В. Кулик, С. М. Дикман, И. В. Кукушкин
Новый механизм спиновой дефазировки двумерных электронов в Холловском ферромагнетике (20 мин)

Пт А 1-5у Й. Дебус, Д. Кудлачик, В. Ф. Сапега, Д. Дункер, П. Бон, Й. Раутерт, Д. Браукман, Д. Р. Яковлев, Д. Ройтер, А. Д. Вик, М. Байер
Исследование электрон-ядерного сверхтонкого взаимодействия в однократно заряженных квантовых точках (In,Ga)As/GaAs методом неупругого рассеяния света с переворотом спина (20 мин)

Пт А 1-6у В. И. Окулов, А. Т. Лончаков, С. Б. Бобин, Т. Е. Говоркова, В. В. Дерюшкин, К. А. Окулова, Е. А. Памятных
Физическая природа спонтанной спиновой поляризации электронов и термодинамического аномального эффекта Холла в кристаллах с низкой концентрацией примесей 3d – элементов  (20 мин)

Пт А 1-7у М. В. Дурнев, L. Bouet, M. Vidal, T. Mano, N. Ha, T. Kuroda, M. M. Глазов, Е. Л. Ивченко, X. Marie, T. Amand, K. Sakoda, G. Wang, B. Urbaszek
Многочастичные кулоновские комплексы в тригональных квантовых точках GaAs/AlGaAs (20 мин)

Высокочастотные явления в полупроводниках
Малый зал ●9.30–12.00

Председатель: А. А. Максимов

Пт Б 1-1п В. В. Попов, Д. В. Фатеев
Возбуждение фототока нецентросимметричным плазмонным полем в двумерной электронной системе (30 мин)

Пт Б 1-2у О. В. Кибис
Как подавить обратное рассеяние электронов проводимости? (20 мин)

Пт Б 1-3у С. И. Дорожкин, А. А. Капустин
Особенности поглощения микроволнового излучения двумерными электронными системами вблизи гармоник циклотронного резонанса (20 мин)

Пт Б 1-4у А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, В. Н. Трухин, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen
Влияние резонансного поглощения Ми на эффективность генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах (20 мин)

Пт Б 1-5у K. Журавлев, T. Малин, В. Мансуров, G. Atmaca, E. Kutlu, P. Narin, B. Sarikavak-Lisesivdin, S. B. Lisesivdin, S. Ardali, E. Tiras
Энергетическая релаксация горячих электронов в AlGaN/GaN гетероструктурах (20 мин)

Пт Б 1-6у В. А. Гергель, А. В. Верховцева, Н. М. Горшкова, А. П. Зеленый, В. С. Минкин, В. В. Павловский
Теоретические основы проектирования мультибарьерных гетероструктур для генерации мощного терагерцового излучения (20 мин)

Пт Б 1-7у А. И. Майдыковский, С. Е. Свяховский, Т. В. Мурзина, А. Н. Степанов, С. Б. Бодров, А. А. Мурзанев, Ю. А. Сергеев
Генерация оптической второй гармоники, индуцированной мощным ТГц излучением в кристаллическом кремнии (20 мин)

Пленарное заседание II
Закрытие конференции
Большой зал ●12.20–14.10

Пт А 0-1пл В. А. Волков
Полупроводниковые структуры с дираковскими фермионами (40 мин)

Д. Р. Хохлов
■ Итоги конференции
■ Вручение премий за лучшие доклады молодых ученых
■ Закрытие конференции