Три двухчасовые стендовые сессии будут проведены вечером перед ужином
в понедельник 21 сентября (тематические разделы 2, 3, 14 ),
во вторник 22 сентября (тематические разделы 1, 4, 5, 8, 10 ) и
в среду 23 сентября (тематические разделы 6, 7, 9, 11, 12, 13 ) в фойе Культурно-спортивного центра. Формат кода стендового сообщения: <День недели> <Тематика> <Номер стенда>  <c — стенд>.

Стендовая сессия I (тематические разделы 2, 3, 14) Понедельник 18:00–20:00

2. Поверхность, пленки, слои

Пн 2-1с М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева
Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs

Пн 2-2с Ю. Г. Шретер, В. В. Вороненков, В. С. Коготков,
М. В. Вирко, Р. И. Горбунов, Ф. Е. Латышев, Н. И. Бочкарёва, А. А. Леонидов, А. С. Зубрилов, Ю. С. Леликов, Ю. Т. Ребане
Физические основы отделения тонких слоёв от объёмных подложек сверхкороткими лазерными импульсами

Пн 2-3с А. В. Новиков
Формирование и селективное легирование SiGe низкоразмерных структур и их использование для приборных приложений

Пн 2-4с Е. В. Тихонов, С. В. Лепешкин, Н. Л. Мацко, В. С. Батурин, Ю. А. Успенский, Д. Р. Хохлов
Первопринципное исследование структуры кремниевых нанокластеров, пассивированных кислородом

Пн 2-5с В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, S. Winnerl, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, M. Helm, В. И. Гавриленко
Времена жизни неравновесных носителей заряда в узкозонных эпитаксиальных слоях и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe в условиях сильного возбуждения

Пн 2-6с П. А. Дементьев, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. А. Ситникова, В. А. Соловьев, С. В. Иванов
Сульфидная пассивация поверхности (100) InSb для молекулярно- пучковой гомоэпитаксии

Пн 2-7с М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, А. А. Донцов, А. М. Монахов, A. Baranov
Метод измерения светочувствительного сдвига резонансной частоты АСМ-зонда для ближнепольной диагностики светоизлучения полупроводниковых лазеров

Пн 2-8с А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, Г. Ю. Сидоров
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg_1-xCd_xTe с пассивирующими покрытиями SiO₂/Si₃N₄ и Al₂O₃

Пн 2-9с   А. Г. Журавлев, А. С. Романов, В. Л. Альперович
Влияние адсорбции кислорода на вероятность эмиссии электронов из Cs/GaAs(001) в вакуум

Пн 2-10с   М. С. Аксенов, А. Ю. Широков, В. А. Голяшов, С. Е. Хандархаева, А. К. Гутаковский, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко
Пассивация поверхности InAs фтором при сухом окислении в таунсендовском разряде

Пн 2-11с   М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, И. И. Пронин
Формирование ферромагнитных пленок силицида кобальта Co3Si на поверхности монокристаллического кремния

Пн 2-12с   Н. А. Тулина, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько, Н. Н. Колесников, Д. Н. Борисенко, В. В. Сироткин, И. Ю. Борисенко
Получение и исследование мезоскопических гетероструктур на основе селенида висмутаBi2Se3

Пн 2-13с   Е. В. Гущина, О. А. Маслова, J. Alvarez, W. Favre, R. Varache, M. E. Gueunier-Farret, А. С. Гудовских, А. В. Анкудинов, Е. И. Теруков, J. P. Kleider
Изучение границы a-Si:H/c-Si на сколах гетероструктур с помощью сканирующей зондовой микроскопии

Пн 2-14с   Т. В. Павлова, Г. М. Жидомиров, К. Н. Ельцов
Динамика гетерогенной химической реакции хлорирования Cu(111)

Пн 2-15с   М. В. Лебедев
Модификация поверхности полупроводников А3В5 посредством зарядового обмена на границе с раствором

Пн 2-16с   С. Б. Бодров, А. А. Мурзанев, Ю. А. Мальков, Ю. А. Сергеев, А. Н. Степанов, Д. А. Яшунин
Исследование генерации второй гармоники оптического излучения с поверхности металла при воздействии мощного терагерцового поля

Пн 2-17с   В. Б. Шмагин, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров, З. Ф. Красильник
Поглощение Урбаха и флуктуации зонного потенциала в эпитаксиальных слоях Si:Er

Пн 2-18с Д. М. Казанцев, И. О. Ахундов, Н. Л. Шварц, В. Л. Альперович, А. С. Терехов, А. В. Латышев
Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование

Пн 2-19с Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин
Поверхностный фазовый переход в системе углерод – кремний

Пн 2-20с Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, Е. В. Демидов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Е. В. Скороходов, П. А. Юнин
Рост и оптоэлектронные свойства слоёв InN, выращенных методом МПЭ ПА при различных соотношениях потоков элементов III и V групп

Пн 2-21с Б. А. Андреев, О. Б. Гусев, А. Н. Яблонский, А. В. Ершов, Д. А. Грачев, И. Н. Яссиевич, З. Ф. Красильник
Спектры возбуждения и кинетика люминесценции экситонов, автолокализованных на состояниях поверхностных димеров в нанокристаллах кремния

Пн 2-22с А. Ю. Клоков, А. И. Шарков, Д. Ф. Аминев, В. А. Цветков, Р. А. Хмельницкий
Зондирование когерентными фононами заглубленных в алмаз графитизированных слоев, созданных имплантацией ионов углерода

Пн 2-23с Д. Е. Свиридов, В. И. Козловский
Сканирующая микроскопия сопротивления растекания с подсветкой: искажения на топографических изображениях

Пн 2-24с С. А. Денисов, А. В. Нежданов, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. О. Филатов, Ю. Н. Бузынин, В. Г. Шенгуров
Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки

Пн 2-25с Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв
Структурные и фотолюминесцентные исследования низкотемпературного GaAs на подложках GaAs (100) и (111)А

Пн 2-26c Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов
Формирование на Si(001) релаксированных слоев Ge высокого кристаллического качества

Пн 2-27с П. Н. Брунков, А. В. Бакланов, Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, Н. А. Калюжный, С. Г. Конников
Эффект локальной трибоэлектризации поверхности эпитаксиального слоя n-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

Пн 2-28с В. К. Егоров, Е. В. Егоров, С. А. Кукушкин
Исследования монокристаллических и эпитаксиальных структур силицида углерода

Пн 2-29с А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si_1‑xGe_x: получение и свойства

Пн 2-30с   Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, А. А. Команов, А. К. Гутаковский, М. А. Путято, В. В. Преображенский
МЛЭ твёрдых растворов InAsSb на GaAs (001): влияние молекулярной формы As на состав и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев

Пн 2-31с А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, С. А. Тийс, М. Ю. Есин
Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ

Пн 2-32с   Л. С. Паршина, О. А. Новодворский, О. Д. Храмова, В. А. Михалевский, А. В. Шорохова, И. А. Петухов, Ф. Н. Путилин, М. Н. Румянцева
Импульсное лазерное осаждение прозрачных проводящих слоев SnO2:Sb на гибких легкоплавких органических подложках для оптоэлектронных применений

Пн 2-33с Д. В. Дмитриев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. П. Василенко, К. С. Журавлёв
МЛЭ слоёв In_0.52Al_0.48As на подложке InP для высокочастотных фотодиодов

Пн 2-34c П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. Н. Михайлов, Д. Г. Икусов, И. Н. Ужаков
Оптический мониторинг технологических процессов формирования полупроводниковых структур

Пн 2-35с Н. И. Подольская
Спинодальный распад пленок ZnCdO и BeZnO

Пн 2-36с А. Н. Акимов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов
Особенности ВАХ пленок PbSnTe:In в режиме инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом в магнитном поле: эксперимент и расчет

Пн 2-37с Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк
Легирование арсенида галлия тетрахлоридом углерода в условиях МОС-гидридной эпитаксии

Пн 2-38с А. В. Шорохова, О. А. Новодворский, В. В. Рыльков, Д. А. Зуев, К. И. Маслаков, С. Н. Николаев
Высокотемпературный ферромагнетизм в пленках Si_1−xMn_x (x ≈ 0.5)

Пн 2-39с А. С. Паршин, А. Ю. Игуменов, С. А. Кущенков
Количественный анализ полупроводниковых материалов методом спектроскопии потерь энергии отраженных электронов

Пн 2-40с Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Г. Ремесник, Ю. Г. Сидоров
Влияние защитного покрытия CdTe на электрофизические параметры эпитаксиальных пленок Cd_xHg_1-xTe

3. Гетероструктуры и сверхрешетки

Пн 3-41с В. Я. Алешкин, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, П. А. Юнин
Наблюдение суперлюминесценции из метаморфного GaAsSb, выращенного на GaAs

Пн 3-42с Л. А. Кулакова, А. В. Лютецкий
Деформационные исследования поляризационных свойств лазерных гетероструктур на квантовой яме и квантовых точках

Пн 3-43с Т. А. Комисарова, Г. В. Климко, С. В. Гронин, И. В. Седова, С. В. Сорокин, Б. Я. Бер, А. А. Торопов, С. В. Иванов
Особенности электрофизических и структурных свойств гетеровалентных гетероструктур (Al)GaAs/Zn(Mn)Se

Пн 3-44с Н. Е. Коптева, Р. В. Чербунин, А. В. Михайлов
Наблюдение Раби осцилляций в структуре с микрорезонатором

Пн 3-45с А. Н. Яблонский, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, З. Ф. Красильник
Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в спектральном диапазоне 1–1,3 мкм

Пн 3-46с А. А. Деменев, С. С. Гаврилов, A. C. Бричкин, А. В. Ларионов, В. Д. Кулаковский
Темные солитоны в конденсате экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах при нерезонансной оптической накачке

Пн 3-47с А. А. Лясота, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, Э. Капон, А. Рудра
Температурная трансформация спектров фотолюми­нес­цен­ции квантовых ям GaAs/AlGaAs в области 2–50 К

Пн 3-48с Е. С. Храмцов, П. А. Белов, Ф. С. Григорьев, С. Ю. Вербин, С. Л. Яковлев
Прямое численное решение уравнения Шредингера для экситонов в квантовых ямах

Пн 3-49с В. В. Капаев
Узкополосное детектирование и генерация гармоник терагерцевого излучения в резонансно-туннельных гетероструктурах

Пн 3-50с Ф. С. Григорьев, Ю. П. Ефимов, С. А. Елисеев, И. В. Игнатьев, В. А. Ловцюс, В. В. Петров, А. В. Трифонов
Экситоны в совершенных гетероструктурах: эксперимент и теория

Пн 3-51с Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, К. С. Журавлев
Влияние профиля δ-слоев на подвижность двумерного электронного газа, ограниченную кулоновским рассеянием, в акцепторно-легированных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/

Пн 3-52с И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин
Влияние переменного профиля состава квантовой ямы In_y(z)Ga_1-y(z)As на электронные транспортные свойства PHEMT гетероструктур

Пн 3-53с А. С. Клепикова, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, Ю. Г. Арапов, М. В. Якунин, С. В. Гудина
Скейлинг в наноструктуре InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в режиме квантового эффекта Холла

Пн 3-54с И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, Н. И. Каргин
Механизм немонотонной зависимости подвижности от концентрации электронов в квантовых ямах AlGaAs/InGaAs/GaAs

Пн 3-55с Н. Р. Григорьева, Р. В. Григорьев, Ю. Н. Лазарева, Б. В. Новиков, А. В. Селькин
Экситон-поляритонное излучение света из приповерх­ност­ной варизонной гетероструктуры CdS_1-xSe_x/CdS

Пн 3-56с А. В. Шорохов, Н. С. Прудских, К. Н. Алексеев
Критерий устойчивости для полупроводниковых сверхрешеток с омическими и неомическими контактами

Пн 3-57с В. А. Володин, В. А. Сачков, М. П. Синюков
Анизотропия смешанных оптических и интерфейсных фононов в сверхрешётках GaAs/AlAs: эксперимент и расчёты

Пн 3-58с Ю. Ю. Романова
Отрицательная проводимость и разогрев электронного газа в одномерных полупроводниковых сверхрешетках

Пн 3-59с А. С. Большаков, В. В. Чалдышев, А. В. Бабичев, Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, И. А. Морозов, М. С. Соболев, Е. В. Никитина
Спектроскопия электроотражения резонансных брэгговских гетероструктур с квантовыми ямами InAs/GaAs

Пн 3-60с З. Ш. Пирмагомедов, М. М. Гаджиалиев, Т. Н. Эфендиева
Определение барического коэффициента дна зоны проводимости арсенида галлия

Пн 3-61с М. Я. Винниченко, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, Р. М. Балагула, М. М. Кулагина, А. П. Васильев, C. A. Duque, A. Tiutiunnyk, V. Akimov, R. L. Restrepo
Межподзонное поглощение и преломление света в туннельно-связанных квантовых ямах GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле

Пн 3-62с Д. А. Веселов, И. С. Шашкин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов
Методика исследования поглощения на свободных носителях в гетероструктуре мощного полупроводникового лазера

Пн 3-63с А. В. Васев, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский
Взаимодействие сурьмы с поверхностью InAs(001) при формировании гетерограниц InAs/GaSb методом МЛЭ

Пн 3-64с Н. А. Бекин, Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, А. В. Антонов, Д. В. Козлов, М. Л. Орлов, Д. В. Юрасов, В. Н. Шастин
Терагерцовое излучение горячих дырок при латеральном транспорте в гетероструктурах Ge/GeSi с туннельно-связанными квантовыми ямами

Пн 3-65с Г. М. Борисов, В. Г. Гольдорт, А. А. Ковалёв, С. А. Кочубей, Д. В. Ледовских, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Н. Н. Рубцова, Б. Р. Семягин
Генерация второй гармоники излучения фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 в гетероструктурах A3B5 с асимметричными квантовыми ямами

14. Топологические изоляторы

Пн 14-66с A. Y. Bykov, T. V. Murzina, N. Olivier, G. A. Wurtz, A. V. Zayats
Сверхбыстрая динамика отклика второй оптической гармоники от поверхности топологического изолятора Bi2Te3

Пн 14-67с И. В. Загороднев, В. В. Еналдиев, В. А. Волков
Зависимость спектра поверхностных состояний в 2D и 3D топологических изоляторах от условий на поверхности

Пн 14-68с А. В. Фролов, Ю. И. Латышев, В. А. Прудкогляд, Т. Вэйд, А. П. Орлов, В. А. Волков, В. М. Пудалов, М. Конциковский
Эффект Ааронова-Бома и поверхностные состояния Тамма-Шокли в висмутовых нанопроволоках

Пн 14-69с Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, О. Е. Райчев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Двумерный топологический изолятор в широких квантовых ямах HgTe

Пн 14-70с О. Е. Терещенко, В. А. Голяшов, К. А. Кох, И. И. Климовских, А. М. Шикин, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков
Формирование комбинированной электронной структуры спин-поляризованных поверхностных состояний Дирака и Рашбы

Пн 14-71с М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе напряженного слоя теллурида ртути

Пн 14-72с Г. В. Будкин, С. А. Тарасенко, В. В. Бельков, K.‑M. Dantscher, Д. А. Козлов, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, D. Weiss, С. Д. Ганичев
Эффект электронного храповика на поверхностных состояниях напряженных пленок HgTe в условиях циклотронного резонанса

Пн 14-73с В. В. Глушков, А. Д. Божко, Н. О. Жаднов, С. В. Демишев, В. В. Воронов, А. В. Кузнецов, И. И. Санников, В. Б. Филиппов, Н. Ю. Шицевалова, Н. Е. Случанко
Транспортные и магнитные свойства YbB6

Пн 14-74с Д. В. Хомицкий, А. А. Чубанов, А. В. Мишин, А. С. Козулин, А. А. Конаков
Одномерные и нульмерные системы на основе поверхности топологических изоляторов

Пн 14-75с В. И. Белявский, А. А. Горбацевич
Спонтанная поляризация ферроэлектриков: топологические и нетопологические аспекты

Пн 14-76с C. Г. Егорова, В. И. Черничкин, Л. И. Рябова, В. А. Касьян, Л. Черняк, С. Н. Данилов, Д. Р. Хохлов
Электронный транспорт и фотоэлектрические эффекты в виртуальном кристаллическом топологическом изоляторе PbSe, модифицированном окислением

Пн 14-77с В. А. Голяшов, К. А. Кох , О. А. Шегай, О. Е. Терещенко
p-n переход в объеме и на поверхности топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3

Пн 14-78с А. Ю. Дмитриев, Н. И. Федотов, В. Ф. Насретдинова, С. В. Зайцев-Зотов
Сканирующая туннельная спектроскопия ступеней на поверхности Bi2Se3

Пн 14-79с А. С. Козулин, А. А. Конаков
Определение эффективной массы и скорости Ферми поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора по данным спектроскопии уровней Ландау

Пн 14-80с Л. С. Бовкун, С. С. Криштопенко, К. Е. Спирин, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, А. В. Антонов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко
Эффективные значения g-фактора в зоне проводимости 2D топологических изоляторов

Пн 14-81с Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, И. В. Кучеренко
Инфракрасные спектры пленок Bi2Se3 на кремнии

Стендовая сессия II (тематические разделы 1, 4, 5, 8, 10) Вторник 18:00–20:00
1. Объемные полупроводники

Вт 1-1с А. В. Телегин, Ю. П. Сухоруков, Н. Г. Бебенин, В. Д. Бессонов, Е. И. Патраков, В. А. Фёдоров, Т. К. Менщикова, С. В. Телегин, Н. А. Кругликов
Магнитооптические эффекты в ИК/ТГц диапазоне в ферромагнитных полупроводниках на основе шпинели

Вт 1-2с К. Е. Кудрявцев, Л. В. Красильникова, Д. В. Шенгуров, Б. А. Андреев, З. Ф. Красильник
Спектроскопия оптического усиления и потерь в активных волноводных структурах Si:Er/SOI

Вт 1-3с Т. П. Суркова, В. И. Максимов, С. Ф. Дубинин
Неоднородно-искажённое состояние структуры сфалерита при повышенном содержании 3d- примеси в кристаллах А^IIВ^VI

Вт 1-4с С. Г. Егорова, В. И. Черничкин, С. Н. Данилов, А. В. Никорич, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов
Фотоэлектромагнитный эффект в PbTe(Ga) при возбуждении импульсами терагерцового лазера

Вт 1-5с В. В. Глушков, А. Д. Божко, С. В. Демишев, А. В. Духненко, А. В. Семено, В. Б. Филиппов, Н. Ю. Шицевалова, K. Flachbart, S. Gabáni, Н. Е. Случанко
Эффект Холла в SmB6

Вт 1-6с П. С. Вергелес, Е. Б. Якимов
Рекомбинационно-ускоренное движение дислокаций в пленках GaN

Вт 1-7с И. Г. Горлова, С. Г. Зыбцев, В. Я. Покровский, С. Ю. Гаврилкин, А. Ю. Цветков
Эффект Холла и магнетосопротивление в слоистом квазиодномерном полупроводнике TiS3

Вт 1-8с Г. О. Андрианов, В. И. Козуб, Н. Ю. Михайлин, Р. В. Парфеньев, Д. В. Шамшур, А. В. Черняев
Корреляция сверхпроводящих свойств твердых растворов (Pb_zSn_1-z)_0.95In_0.05 c составом материала и величиной гидростатического сжатия

Вт 1-9с Б. А. Андреев, П. А. Бушуйкин, В. Ю. Давыдов, А. Н. Яблонский
Спектр фотопроводимости нитрида индия

Вт 1-10с А. Н. Акимов, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов
Влияние магнитного поля на динамику фототока в пленках PbSnTe:In

Вт 1-11с   О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, А. Н. Семёнов, В. А. Соловьёв, Т. В. Львова, И. В. Седова, С. В. Иванов
Фотомодуляционная инфракрасная фурье-спектроскопия автоэпитаксиальных слоёв InSb

Вт 1-12с Е. В. Кожемякина, Т. С. Шамирзаев, Е. А. Жуков, Д. Р. Яковлев, M. Bayer
Электронный g-фактор и время спиновой релаксации T2* в высокочистых твердых растворах AlGaAs

Вт 1-13с Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов
Бистабильность автомодуляции спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs

Вт 1-14с В. П. Калинушкин, О. В. Уваров, А. А. Гладилин, Н. Н. Ильичев, В. П. Данилов, М. И. Студеникин, Е. М. Гаврищук, В. Б. Иконников, С. А. Родин, Д. В. Савин, Н. А. Тимофеева
Исследование объемных характеристик Zn-Se с помощью двухфотонной конфокальной микроскопии

Вт 1-15с К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин
Влияние поляризации накачки на эффективность кремниевых лазеров с мелкими донорами в условиях одноосной деформации

Вт 1-16с М. М. Гаджиалиев, М. И. Даунов, А. М. Мусаев
Зависимость диэлектрической проницаемости прямозонных полупроводников от всестороннего давления

Вт 1-17с И. В. Кочман, А. И. Вейнгер, Т. В. Тиснек, В. И. Окулов
Особенности микроволнового поглощения в магнитном поле в вырожденном узкозонном полупроводнике HgSe:Fe

Вт 1-18с А. М. Стрельчук
Температурная зависимость краевой инжекционной электролюминесценции в SiC pn структурах

Вт 1-19с   А. C. Ильин, М. Н. Мартышов, Н. П. Фантина, П. А. Форш, П. К. Кашкаров
Электрические и фотоэлектрические свойства нанокристал­лического оксида индия с квантовыми точками CdSe

Вт 1-20с А. В. Дмитриев, Н. А. Масюков
Дрейфовая скорость электронов в сильных электрических полях в твёрдых растворах In_xGa_1-xN и In_xAl_1-xN

Вт 1-21с А. В. Дмитриев, Е. С. Ткачёва
Влияние зоны тяжёлых дырок на термоэлектрические величины теллурида свинца

Вт 1-22с А. Г. Алибеков, А. Ю. Моллаев, Л. А. Сайпуллаева, С. Ф. Маренкин, И. В. Федорченко
Электротранспортные явления в гранулированных структурах Cd3As2+MnAs при высоком давлении

Вт 1-23с И. К. Камилов, А. А. Степуренко, А. Э. Гумметов
Диамагнетизм продольного автосолитона в p-InSb в продольном магнитном поле

4. Двумерные системы

Вт 4-24с   М. В. Якунин, А. В. Суслов, М. Р. Попов, Е. Г. Новик, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Увеличенное перекрытие электронной и валентной подзон в двойной квантовой яме HgTe

Вт 4-25с   А. А. Кононов, С. В. Егоров, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Э. В. Девятов
Исследование транспорта между металлом с макроскопи­чес­ким параметром порядка и краем двумерной электронной системы в квантовой яме HgTe с инверсией зон

Вт 4-26с Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Ю. Л. Ивáнов, А. О. Захарьин, А. В. Андрианов, А. В. Антонов, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко
Излучение при зинеровском туннелировании в квантовых ямах HgTe

Вт 4-27с З. Д. Квон, Г. М. Гусев, А. Д. Левин, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев
Гигантский микроволновый фотокондактанс туннельного точечного контакта

Вт 4-28с   В. В. Платонов, Ю. Б. Кудасов, М. С. Жолудев, А. В. Иконников, O. Drachenko, А. С. Коршунов, И. В. Макаров, Д. А. Маслов, О. М. Сурдин, А. В. Филиппов, В. И. Гавриленко, M. Helm, Н. Н. Михайлов, C. А. Дворецкий
Исследование магнитопоглощения в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в сильных магнитных полях при различных температурах

Вт 4-29с Т. Б. Чарикова, Н. Г. Шелушинина, Г. И. Харус, Д. С. Петухов, О. Е. Петухова, А. А. Иванов
Скейлинг продольного и холловского электросопротивлений в двумерной электронно-легированной неупорядоченной системе

Вт 4-30с В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев
Влияние плазменных колебаний терагерцового диапазона на спектры фотолюминесценции SiGe-гетероструктур

Вт 4-31с А. В. Герт, М. О. Нестоклон, И. Н. Яссиевич
Электронная структура и эффективный гамильтониан силицена около дираковской точки

Вт 4-32с И. Н. Котельников, Е. Н. Морозова, С. Е. Дижур, Э. В. Девятов, В. Т. Долгополов
Пиннинг уровней Ландау в туннельных спектрах двумерной электронной системы

Вт 4-33с А. А. Добрецова, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михпйлов, С. А. Дворецкий
Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях

Вт 4-34с  Е. Л. Румянцев
Zitterbewegung и одночастичные уравнения Паули в двумерных дираковских полупроводниках с учетом заполнения

Вт 4-35с С. И. Дорожкин
Емкостная спектроскопия двухслойных электронных систем

Вт 4-36с М. П. Михайлова, А. И. Вейнгер, П. В. Семенихин, И. В. Кочман, В. А. Березовец, A. Hospodková, J. Pangrac, M. Ziková, E. Hulicius
Поглощение микроволнового излучения двумерными электронами в композитной квантовой яме II типа InAs/GaSb в магнитном поле

Вт 4-37с Д. В. Посвянский, А. Я. Шульман
Самосогласованный расчет непараболического энергетичес­кого спектра электронов в обогащенном слое на поверхности n-InAs
Вт 4-38с Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, C. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов
Эффекты 2D-локализации в режиме квантового эффекта Холла в широких квантовых ямах HgTe

Вт 4-39с П. С. Алексеев, М. И. Дьяконов
Объяснение «колоссального» отрицательного магнетосопротивлени двумерной электронной жидкости

Вт 4-40с   Д. Б. Султанов, А. Б. Воробьёв, А. Ф. Булдыгин
Особенности магнетосопротивления двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности под действием СВЧ-излучения

Вт 4-41с В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, А. В. Новиков, E. Е. Онищенко,  А. А. Пручкина
Условия возникновения сверхизлучения в видимом диапазоне в двумерных структурах SiGe/Si

Вт 4-42с Е. Ю. Жданов, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов
Переворот фазы осцилляций Шубникова-де Гааза в подвешенных полупроводниковых структурах

Вт 4-43с   А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефёдов, И. В. Кукушкин
Наблюдение гигантских осцилляций магнетосопротивления индуцированных микроволновым излучением в ZnO/MgZnO гетеропереходах

Вт 4-44с И. В. Загороднев, Ж. А. Девизорова, В. В. Еналдиев, А. В. Фролов, В. А. Волков
Рассеяние электронов в графене на круглом наноотверстии

Вт 4-45с Н. В. Агринская, В. И. Козуб, В. А Березовец
Температурно-зависящий беспорядок и беспорядок, контролируемый магнитным полем: исследование применительно к системе модуляционно легированных квантовых ям

Вт 4-46с Л. В. Данилов, А. А. Петухов, Э. В. Иванов, Д. В. Кузнецов, К. В. Калинина, Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, A. Hospodková, J. Pangrác, J. Oswald, M. Zíková, and E. Hulicius
Излучательная рекомбинация в наногетероструктурах с глубокими квантовыми ямами при высоких температурах

Вт 4-47с А. Я. Шульман
Обменно-корреляционная энергия многоэлектронной системы в приближении самосогласованного поля

Вт 4-48с В. Е. Бисти, В. А. Кузнецов, Л. В. Кулик
Плазмороны в неравновесной системе двумерных магнитоэкситонов

Вт 4-49с О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко
Полупроводниковый дираковский резонатор в слабых магнитных полях

Вт 4-50с Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, М. Р. Попов, Г. И. Харус, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий
Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром

Вт 4-51с Л. Н. Овешников, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев
Влияние структуры метаморфного буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в двумерном канале

5. Одномерные и нульмерные системы

Вт 5-52с М. А. Семина, Р. А. Сурис
Локализованные состояния дырок в наноструктурах: магнитоиндуцированное смешивание и эффект Зеемана

Вт 5-53с О. С. Кен, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, О. М. Сресели
Нанокомпозитные слои Si-Au и лавинное умножение в гетеропереходах на их основе

Вт 5-54с Н. А. Ерюков, А. Г. Милёхин, Л. Л.Свешникова, Т. А. Дуда, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев
Гигантское комбинационное рассеяние света оптическими фононами в полупроводниковых нанокристаллах CuS на поверхности Au

Вт 5-55с   Х. Сигурдссон, О. В. Кибис, И. А. Шелых
Оптический эффект Ааронова-Бома в квантовых кольцах

Вт 5-56с А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский
Локализация электронных состояний в напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge

Вт 5-57с М. П. Гамбарян, В. А Володин, А. Г. Черков, В. И. Вдовин
Светоизлучающие нанокристаллы GexSi(1-x), сформированные в многослойных наноструктурах GeO/SiO2

Вт 5-58с В. Е. Минакова, А. Н. Талденков, С. В. Зайцев-Зотов
Низкотемпературная проводимость и фотопроводимость пайерлсовского проводника о-TaS3 при одноосном растяжении

Вт 5-59с А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов
Коллективные эффекты в экситон-плазмонном взаимодейст­вии в структурах с InAs/AlGaAs КТ и кластерами индия

Вт 5-60с В. П. Кочерешко, В. Н. Кац, А. В. Платонов, А. Н. Поддубный, Г. Э. Цырлин, А. Д. Буравлев
Спектроскопия одиночной квантовой точки, заключенной в одиночную квантовую нить

Вт 5-61с А. А. Зарубанов, К. С. Журавлев
Температурная зависимость времени жизни в нанокристал­лах CdS, сформированных методом Ленгмюра-Блоджетт

Вт 5-62с Р. М. Балагула, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов,
А. Н. Софронов, А. А. Тонких
Релаксация фотоиндуцированного поглощения света среднего ИК диапазона в квантовых точках Ge1-xSix/Si

Вт 5-63с М. В. Еременко, А. Н. Резницкий, А. М. Минтаиров, J. Kapaldo, J. Merz
Экситоны в самоорганизованных CdSe/ZnSe квантовых точках: температурная зависимость формы спектров излучения и пространственная размерность излучающих состояний

Вт 5-64с С. В. Сорокин, Т. В. Шубина, И. В. Седова, С. В. Гронин, А. В. Родина, М. А. Семина, А. А. Головатенко, М. В. Рахлин, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, С. В. Иванов
Управление спектром излучательных состояний в массивах квантовых точек CdSe/ZnSe, сформированных методами молекулярно-пучковой эпитаксии

Вт 5-65с Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, Е. А. Емельянов, А. К. Бакаров, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев
Энергетический спектр самоорганизованных III-Sb/AlAs квантовых точек

Вт 5-66с П. И. Арсеев, Н. С.  Маслова, В. Н. Манцевич
Влияние кулоновских корреляций на особенности туннель­ных характеристик примесных комплексов и сильно связанных квантовых точек

Вт 5-67с И. В. Крылов, К. А. Дроздов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Р. Б. Васильев, Д. Р. Хохлов, Д. Г. Филатова, А. М. Абакумов, А. М. Гаськов
Полупроводниковые газовые сенсоры на основе оксида цинка с квантовыми точками селенида кадмия

Вт 5-68с Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, Г. Г. Зегря
Безызлучательный резонансный перенос энергии в полупроводниковых квантовых точках

Вт 5-69с А. В. Бакланов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, А. Ю. Егоров, С. Г. Конников
Анализ процессов термической эмиссии носителей заряда из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs матрицы

Вт 5-70с А. П. Болтаев, Ф. А. Пудонин
Диэлектрические свойства наноостровковых систем с туннельным харектером проводимости

Вт 5-71с И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев
Модель температурного тушения фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN

Вт 5-72с А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский
Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Вт 5-73с А. А. Головатенко, М. А. Семина, А. В. Родина, T. В. Шубина
Моделирование спектров фотолюминесценции неоднородных массивов эпитаксиальных квантовых точек CdSe/ZnSe

Вт 5-74с С. А. Тарасов, И. И. Михайлов, И. А. Ламкин, А. С. Евсеенков, А. В. Соломонов
Оптические свойства наносистем «коллоидные квантовые точки PbS – матрицы пористого кремния»

Вт 5-75с А. В. Савельев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков
Стабильность спектра излучения ансамблей полупроводниковых квантовых точек

Вт 5-76с В. В. Вальков, С. В. Аксенов
Вольт-амперная характеристика джозефсоновского перехода, сформированного регулярной структурой спиновых димеров

Вт 5-77с В. Я. Алешкин, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский
Наблюдение фотолюминесценции квантовых точек InAs, выращенных на метаморфном буфере GaAsSb

Вт 5-78с К. Л. Кошелев, В. Ю. Качоровский
Оптическое возбуждение циркулярного тока в неупорядоченном квантовом кольце

8. Высокочастотные явления в полупроводниках

Вт 8-79с О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко
Многофотонные эффекты в прохождении электрона через плавный барьер в микроволновом поле

Вт 8-80с А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, В. И. Санкин, Ю. Б. Васильев
Примесная ТГц люминесценция, индуцированная инжекцией неравновесных носителей заряда в легированных полупроводниках

Вт 8-81с М. А. Ормонт, И. П. Звягин
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в режиме прыжковой проводимости с постоянной длиной прыжка

Вт 8-82с А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, В. В. Капаев, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов
Детектирование суб-ТГц излучения асимметричными резонансно-туннельными наноструктурами при нулевом смещении

10. Углеродные наноматериалы

Вт 10-83с А. Д. Заболотский, Ю. Е. Лозовик
Псевдомагнитное поле в деформированном дираковском материале

Вт 10-84с А. А. Грешнов, Я. М. Бельтюков
Теория квантового эффекта Холла в графене при 300 K

Вт 10-85с Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев,
Ю. Л. Иванов, Р. Хауг
Линейное магнетоспротивление в двухслойном графене

Вт 10-86с  С. Л. Коваленко, Б. В. Андрюшечкин, Т. В. Павлова, К. Н. Ельцов
Формирование монокристаллов графена на поверхности Ni(111) методом температурно-программируемого синтеза

Вт 10-87с Г. В. Тихомирова, Т. К. Петросян, А. В. Тебеньков
Фазовые переходы в графите и графене при холодном сжатии

Вт 10-88с В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. М. Микушкин, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев
Влияние дефектов и примесных комплексов, создаваемых контролируемым образом, на оптические и электро­физичес­кие свойства графена, синезированного на 6Н-SiC

Вт 10-89с Г. Ю. Васильева, Ю. Б. Васильев, Ю. Л. Ивáнов, С. Новиков, С. Данилов
Терагерцовая фотопроводимость структур на основе эпитаксиального графена

Вт 10-90с  А. Л. Вихарев, А. Б. Мучников, Д. Б. Радищев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, О. А. Иванов, А. М. Горбачев
Комбинированные подложки моно- и поликристаллического полупроводникового CVD алмаза большой площади

Вт 10-91с  С. В. Голод, М. А. Сергеев, В. А. Володин, А. И. Комонов, Р. А. Соотс, В. Я. Принц
Влияние высокотемпературных отжигов на морфологию поверхности меди и выращенного графена

Вт 10-92с  О. И. Хрыкин, Ю. Н. Дроздов, М. Н. Дроздов, П. А. Юнин, В. И. Шашкин, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, А. Л. Вихарев, Д. Б. Радищев, В. В. Чернов
Рост нанокристалических алмазных пленок на монокристаллическом AlN

Стендовая сессия III (тематические разделы 6, 7, 9, 11, 12, 13) Среда 18:00–20:00
6. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм

Ср 6-1с И. В. Крайнов, В. Ф. Сапега, Н. С. Аверкиев, Г. С. Димитриев, K. H. Ploog
Механизмы спиновой релаксации марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As

Ср 6-2с А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ю. Горнов
О возможности выполнения квантовых логических операций в системе двух электронов, локализованных на Ge квантовой точке

Ср 6-3с Е. Л. Ивченко, Л. А. Бакалейников, В. К. Калевич
Спин-зависимая рекомбинация и сверхтонкое взаимодействие на глубоких парамагнитных дефектах

Ср 6-4с И. И. Ляпилин, М. С. Окороков
О генерации спин-волного тока в гибридных наноструктурах

Ср 6-5с А. П. Деточенко, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, А. В. Кудрин, С. А. Попков, А. В. Королева, А. А. Ежевский, А. А. Конаков, В. А. Бурдов, Д. Г. Зверев, Г. В. Мамин, Н. В. Абросимов, H. Riemann
Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии

Ср 6-6с А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, Е. А. Питиримова, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, F. Iikawa
Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt

Ср 6-7с Д. С. Смирнов, Л. Е. Голуб
Динамика и флуктуации спина в режиме стриминга

Ср 6-8с И. А. Кокурин, Н. С. Аверкиев
Ориентация спинов носителей током в квази-одномерной системе

Ср 6-9с А. В. Пошакинский, С. А. Тарасенко
Распространение термических флуктуаций спиновой плотности в квантовых ямах

Ср 6-10с Ж. А. Девизорова, В. А. Волков
Спин-орбитальное взаимодействие электронов с атомарно резкой гетерограницей в квантовой яме

Ср 6-11с Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский
Прямые измерения пикосекундной кинетики нагрева спиновой подсистемы Mn в полумагнитных полупровод­никовых гетероструктурах типа-II (Zn,Mn)Se/BeTe

Ср 6-12c  А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря
Генерация чисто спиновых токов при Оже-рекомбинации в квантовых ямах с расщеплением Рашбы и Дрессельхауса

Cр 6-13с Л. В. Котова, А. В. Платонов, В. Н. Кац, Л. Е. Голуб, В. П. Кочерешко, Е. В. Кожемякина, Д. В. Дмитриев
Эффекты пространственной дисперсии в структурах с квантовыми ямами

Ср 6-14с М. М. Глазов
Конкуренция сверхтонкого взаимодействия и прыжков в спиновом шуме локализованных электронов

Ср 6-15с В. Ф. Сапега, Г. С. Димитриев, И. В. Крайнов, Н. С. Аверкиев
Расщепление состояний акцептора марганца в (Ga,Mn)As в деформационном и магнитном полях

Ср 6-16с К. Ю. Черноглазов, А. С. Семисалова, С. Н. Николаев, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, Ю. М. Чесноков, А. Л. Васильев, И. А. Лихачев, Э. М. Пашаев, А. В. Зенкевич, Ю. А. Матвеев, О. А. Новодворский, А. В. Шорохова, Н. С. Перов, Э. Т. Кулатов, А. С. Веденеев, А. С. Бугаев
Ферромагнетизм поликристаллических пленок Si1-xMnx (x~0,5) с самоорганизованным распределением кристаллитов по размерам

Ср 6-17с О. Е. Терещенко, В. А. Голяшов, И. Б. Чистохин, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, И. И. Мараховка, А. В. Копотилов, Н. В. Кислых
Инжекция свободных спин-поляризованных электронов в гетероструктуры на основе A3B5

Ср 6-18с К. Г. Гареев, С. А. Ионин, В. А. Мошников, Н. В. Пермяков
Исследование коллоидных частиц FemOn-SiO2, получаемых одно- и двухстадийным способами

Ср 6-19с А. В. Черненко, А. С. Бричкин
Локализованные и связанные экситоны в сверхрешётках второго типа ZnMnSe/ZnSSe

Ср 6-20с А. А. Лотин, О. А. Новодворский, М. А. Панков, В. В. Рыльков, Э. Т. Кулатов, Д. А. Зуев, О. Д. Храмова, Л. С. Паршина, А. В. Шорохова, В. А. Михалевский, Е. А. Черебыло
Магнитная анизотропия в тонких пленках Zn1-хCoхO

Ср 6-21с О. А. Новодворский, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, В. А. Михалевский, С. Ф. Маренкин, И. В. Федорченко, А. Н. Аронов, Б. А. Аронзон
Создание магнитных полупроводниковых гетеропереходов p-In1-хMnхSb/n-InSb методом импульсного лазерного осаждения

7. Примеси и дефекты

Ср 7-22с Н. С. Аверкиев, I. B. Bersuker, В. В. Гудков, S. Zherlitsyn, S. Yasin, И. В. Жевстовских, К. А. Барышников, А. М. Монахов, М. Н. Сарычев, Ю. В. Коростелин
Ультразвуковое определение параметров эффекта Яна-Теллера в полупроводниковом кристалле CdSe:Cr2+

Ср 7-23с В. Я. Алешкин
Динамика примесной фотопроводимости в гетероструктуре GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами

Ср 7-24с О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов, Й. Вебер
Исследование метастабильных дефектов в эпитаксиальных слоях n-GaAs методом высокоразрешающей Лапласовской релаксационной спектроскопии глубоких уровней

Ср 7-25с В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, E. Е. Онищенко, А. А. Пручкина, А. А. Савинова,
Н. А. Смирнова
Оптическая спектроскопия комплексных дефектов в компенсированных кристаллах Cd(Zn)Te

Ср 7-26с В. В. Козловский, Б. Я. Бер, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, А. А. Лебедев
Особенности радиационного дефектообразования в 6H- и 4H-SiC n- и p- типа проводимости

Ср 7-27с Л. В. Арапкина, М. С. Сторожевых, К. В. Чиж, В. А. Чапнин, В. А. Юрьев
Формирование наноразмерных дефектов роста на поверхности Si/Si(001) в процессе МЛЭ

Ср 7-28с Е. П. Скипетров, М. М. Маркина, К. В. Захаров, А. А. Соловьев, А. В. Кнотько, Е. И. Слынько, В. Е. Слынько
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb_1-yFe_yTe

Ср 7-29с А. Н. Акимов, Д. В. Ищенко, А Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов
Термостимулированные токи в PbSnTe:In при заполнении центров захвата освещением и инжекцией из контактов

Ср 7-30с И. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, А. Ю. Бончик, Г. В. Савицкий, Z. Świątek, P. Ozga
Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1‑xTe

Ср 7-31с Л. Б. Карлина, А. C. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. М. Кулаг
Роль изовалентных сурфактантов в процессах диффузии цинка в арсениде галлия

Ср 7-32с В. П. Мартовицкий, Ю. Г. Садофьев
Рентгенодифракционное выявление повышенной концентрации точечных дефектов в эпитаксиальных слоях
Si1-xGex и Ge1-xSnx

Ср 7-33с В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин
Механизм инверсии при оптическом возбуждении двойных доноров магния в кремнии

Ср 7-34с В. И. Зубков, О. В. Кучерова, А. В. Зубкова, J. Butler, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов
Исследования примесного уровня бора в полупроводниковом алмазе методом температурной спектроскопии адмиттанса

Ср 7-35с   Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Н. К. Полетаев, А. П. Скворцов
Спектры поглощения кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er3+

Ср 7-36с И. А. Курова, Н. Н. Ормонт
Релаксация метастабильной темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, фотоиндуцированной при температурах выше 400 К

Ср 7-37с И. В. Осинных, Т. В. Малин, В. Ф. Плюснин, К. С. Журавлев
Исследование сине-зеленой полосы в спектрах фотолюминесценции сильно легированного AlxGa1-xN

Ср 7-38с О. С. Трушин, Э. Марас, Т. Ала-Ниссила, Э. Гранато, С. Ч. Инг
Атомные механизмы зарождения дислокаций в гетероэпитаксиальной структуре Ge/Si(001)

Ср 7-39с А. А. Алтухов, Ю. В. Гуляев, Н. Х. Талипов, Р. А. Хмельницкий, Г. В. Чучева
Особенности активации бора, имплантированного при больших дозах в природные кристаллы алмаза

Ср 7-40с А. Э. Климов, Н. С. Пащин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский
Длинноволновая ИК фотопроводимость пленок Pb1‑xSnxTe:In для составов вблизи инверсии зон

Ср 7-41с Е. В. Иванова, М. В. Заморянская, М. Г. Мынбаева
Точечные дефекты в объемном GaN

9. Органические полупроводники, молекулярные системы

Ср 9-42с Е. С. Жукова, A. Pustogow, M. Pinterić, S. Tomić, J. A. Schlueter, Б. П. Горшунов, M. Dressel
Низкоэнергетические возбуждения в спин-жидкостном соединении κ-(BEDT-TTF)2Cu2(CN)3

Ср 9-43с В. В. Травкин, Г. Л. Пахомов, В. И. Шашкин, П. А. Стужин
Многослойные структуры с изотипным молекулярным гетеропереходом

Ср 9-44с С. В. Новиков
Прыжковый транспорт носителей заряда в материалах с пространственно коррелированной экспоненциальной плотностью состояний

Ср 9-45с А. С. Берестенников, П. С. Крылов, А. Н. Алёшин
Композитные плёнки на основе биоцеллюлозы, модифицированной проводящим полимером PEDOT/PSS

Ср 9-46с А. Б. Гордеева, И. В. Макаренко, В. П. Улин, В. Л. Берковиц
Влияние свойств подложки на формирование кристаллитов фталоцианина меди

Ср 9-47с Р. Т. Сибатов, Е. В. Морозова
Дисперсионная адвекция-диффузия носителей заряда в полимерных мультислоях

Ср 9-48с М. Н. Журавлёв, А. А. Горбацевич, Т. С. Катаева
Молекулярный переключатель на основе транс-полиацетилена

11. Метаматериалы и фотонные кристаллы. Нанофотоника

Ср 11-49с  М. В. Степихова, С. М. Сергеев, В. А. Вербус, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, М. В. Шалеев, И. И. Амиров, J. G. Schilling
Модовый состав и люминесцентные свойства дисковых микрорезонаторов, сформированных на базе светоизлучающих структур с наноостровками Ge(Si)

Ср 11-50с  В. Л. Крутянский, А. Л. Чехов, А. И. Стогний, Т. В. Мурзина
Нелинейно-оптические эффекты в Au/BIG магнитоплазмонных кристаллах

Ср 11-51с  В. И. Ушанов, В. В. Чалдышев, Н. А. Берт, В. Н. Неведомский, Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, М. А. Яговкина, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин
Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb-AlGaAs

Ср 11-52с  Л. С. Голобокова, Ю. В. Настаушев, Ф. Н. Дульцев, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Б. Талочкин, В. А. Сейфи, А. В. Латышев
Экспериментальное исследование и численное моделирование оптических характеристик кремниевых нанопилларов

Ср 11-53c М. Ю. Барабаненков, В. Т. Волков, А. Н. Грузинцев, А. И. Ильин, О. В. Трофимов
Асимметричная структура из двух дифракционных решеток для ввода ИК излучения в Si полосковый волновод

Ср 11-54с М. Ю. Барабаненков, Ю. Н. Барабаненков
Передача возбуждения вдоль 1D линейной цепочки плазмонных сферических наночастиц

Ср 11-55с В. К. Егоров, Е. В. Егоров
Особенности рентгеновской нанофотоники в условиях воздействия оптического излучения

12. Полупроводниковые приборы и устройства

Ср 12-56с К. В. Чиж, В. А. Юрьев, В. А. Чапнин, О. В Уваров, В. П. Калинушкин
Неохлаждаемые микроболометры на основе диодов Шоттки

Ср 12-57с В. Г. Кеслер, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, Е. Р. Закиров, А. П. Ковчавцев, З. В. Панова, М. В. Якушев
Изготовление и фотоэлектрические характеристики туннельных МОП диодов на КРТ

Ср 12-58с М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, А. Д. Максимов
Гетероструктуры с квантовыми ямами (Al)GaAs и (In)GaAsP для мощных полупроводниковых лазерных излучателей спектрального диапазона 780-810 нм

Ср 12-59с Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов
Внутренние оптические потери в полупроводниковых лазерах

Ср 12-60с О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов
Подвижность электронов в двухзатворных тонкопленочных КНИ-МОП транзисторах

Ср 12-61с Н. В. Крыжановская, Ю. В. Кудашова, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, А. А. Липовский, Д. В. Карпов
Микролазеры анизотропной формы с активной областью на основе InAs/InGaAs квантовых точек

Ср 12-62с С. А. Рожков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. В. Мазалов, А. А. Падалица, А. В. Долгих, А. В. Чикинев, С. В. Гамзинов, И. И. Гольдберг
Вклад электронных ловушек в темновой ток p-GaN(Cs,O) фотокатода

Ср 12-63с С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, А. В. Рожков, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков
Мощные импульсные лазеры-тиристоры на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур (900 нм)

Ср 12-64с С. В. Сорокин, Г. В. Климко, С. В. Гронин, И. В. Седова, А. А. Ситникова, А. А. Торопов, Е. А. Европейцев, С. В. Иванов
Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток Zn(S)Se/CdSe/In0.3Ga0.7As с эффективной шириной запрещенной зоны 2,1-2,15 эВ

Ср 12-65с  Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, Ю. М. Шерняков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов
Управление модовым составом излучения торцевых полупроводниковых лазеров с резонансно-связанными волноводами

Ср 12-66с Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. Ю. Протасов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев
Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs бериллием на свойства p-HEMT AlGaAs/InGaAs/AlGaAs гетероструктур

Ср 12-67с М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, А. П. Васильев, А. Г. Гладышев, В. М. Устинов
Контроль поляризации выходного излучения вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с ромбовидной токовой апертурой и внутрирезонаторными контактами

Ср 12-68с А. А. Мармалюк, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, Р. Х. Акчурин
Гетероструктуры III-N для приборов полупроводниковой фотоэлектроники

Ср 12-69с М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов
Волна ионизации TRAPATT-типа в карбидкремниевых и кремниевых пикосекундных лавинных обострителях

Ср 12-70с Г. М. Борисов, В. Г. Гольдорт, С. А. Кочубей, Д. В. Ледовских, А. А. Ковалёв, М. Н. Путято, В. В. Преображенский, Н. Н. Рубцова, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев
Наноструктуры A³B⁵ для пассивной синхронизации мод лазеров

Ср 12-71с В. П. Попов, M. A. Ильницкий, В. Н. Мордкович , A. В. Леонов
Квантовые поправки в эффекте линейной зарядовой связи порогов двухзатворных КНИ транзисторов толщиной до 200 нм

Ср 12-72с А. А. Дубинов С. С. Криштопенко, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин
Возможность стимулированного терагерцового излучения из HgCdTe структур c квантовыми ямами

Ср 12-73с С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Н. В. Дикарева, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, К. Е. Кудрявцев, З. Ф. Красильник
Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке

Ср 12-74с А. П. Ковчавцев, В. Г. Кеслер, A. А. Гузев, А. В. Царенко, З. В. Панова
Температурные зависимости адмиттанса InAs-MОП структур со сверхтонким окислом

Ср 12-75с П. А. Иванов, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова
Электрическое сопротивление барьерных контактов Ti/n‑4H‑SiC при высоких плотностях прямого тока

Ср 12-76с А. А. Алтухов, Ю. В. Гуляев, К. Н. Зяблюк, Н. Х. Талипов, Г. В. Чучева
Формирование дельта легированного p-слоя в природных и CVD кристаллах алмаза при термообработках в водороде

Ср 12-77с  О. Г. Кошелев, Г. Г. Унтила
О времени релаксации фотопроводимости в базовой области кремниевых солнечных элементов при локальном освещении

Ср 12-78с  Д. В. Горшков, В. В. Бакин, С. А. Рожков, Г. Э. Шайблер, С. Н. Косолобов, А. С. Терехов
Упругое и неупругое рассеяние фотоэлектронов при фотоэмиссии из p-GaN(Cs,O) и p-GaAs(Cs,O) фотокатодов

Ср 12-79с  П. Н. Брунков, В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов
Глубокие уровни в диодных структурах кремниевых лавинных обострителей субнаносекундного диапазона

Ср 12-80с  О. А. Солтанович, Е. Б. Якимов
Анализ частотных зависимостей вольт-фарадных характеристик и адмиттанса светоизлучающих структур InGaN/GaN: влияние процессов релаксации заряда в квантовых ямах

Ср 12-81с  М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, А. М. Бойко, А. В. Бобыль, С. Г. Конников
Исследование сверхструктур в полупроводниковых приборах методом МУРР при длинах волн около краев поглощения элементов образца

Ср 12-82с  М. А. Демьяненко, Д. Г. Есаев, А. И. Козлов, А. Р. Новоселов, В. Н. Овсюк
Мозаичные фотоприемники обзорно-панорамного формата: разработка, применение и некоторые системные вопросы

Ср 12-83с  Г. М. Борисов, В. Г. Гольдорт, А. А. Ковалёв, Д. В. Ледовских, Н. Н. Рубцова
Техника двойной модуляции в исследовании кинетики поглощения/отражения полупроводниковых наноструктур

Ср 12-84с  В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, И. С. Тарасов
Полупроводниковые лазеры с поверхностным распределенным брэгговским зеркалом высокого порядка дифракции

Ср 12-85с  И. А. Андреев, В. В. Дюделев, Н. Д. Ильинская, Г. Г. Коновалов, Е. В. Kуницына, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев
Сверхбыстродействующие (полоса пропускания 2-10 ГГц) фотодиоды для спектрального диапазона 1,3-3,8 мкм

Ср 12-86с  И. Г. Пашаев
Исследование релаксации избыточного тока кремниевых диодов Шоттки, изготовленного с применением различных аморфных металлических сплавом

Ср 12-87с А. Ю. Егоров, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, М. Tchernycheva, A. Bousseksou
Генерация излучения с длиной волны 5.8 мкм многопериодными квантово-каскадными лазерами при комнатной температуре

Ср 12-88с З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян
Метод определения скорости захвата носителей заряда в квантовую яму в полупроводниковом лазере

Ср 12-89с М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, А. В. Бобыль, А. М. Бойко, С. Г. Конников
Исследования размеров в доменно-кластерной структуре GaN/SiC и пористого SiC — материалов для полупроводниковых лазеров

13. Наномеханика

Ср 13-90с  А. Н. Куприянов, О. С. Трушин, И. И. Амиров
Моделирование методом молекулярной динамики колебаний медных нанорезонаторов

Ср 13-91с  И. В. Уваров, О. М. Королева, В. В. Наумов
МЭМС-переключатель электростатического типа с механизмом активного размыкания электродов

Ср 7-92с Э. А. Штейнман, А. В. Терещенко, В. В. Привезенцев
Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами цинка